电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ASH单元设计与改进可靠性 ,提供了理论和实验基础     

正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱

报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致     

光学稀疏孔径成像复合孔径阵列结构研究

对环型、Y型和Golay6等典型的光学稀疏孔径成像系统,给出了最大和最小填充因子,结果表明,最大填充因子只与子孔径的数目有关.提出一种建立在典型光学稀疏孔径阵型基础上的复合孔径阵列结构,给出了3种不同复合孔径阵列结构形式,在填充因子相同的情况下,用计算机仿真子孔径间距变化、子阵列旋转对调制传递函数(MTF)的影响,并对系统模拟成像及噪后的图像进行重构,使用相关系数对图像质量进行评价.结果表明,这种复合孔径阵列结构通过复制子阵列能够扩大系统的口径,而且具有易于加工、装调方便的特点.     

基于梯度幅值的自适应边缘检测算法

提出了一种新的边缘检测算法.根据所提出的梯度幅值计算方法求出整幅图像的梯度幅值均值和图像中所有像素点的梯度幅值相对与均值的方差.由图像的梯度幅值均值和方差计算出图像的最佳阈值.然后根据提出的噪声剔除方法对由最佳阈值判定的初始边缘中的噪声进行剔除.实验结果表明所提出的算法在精确定位边缘的同时也较好地抑制了噪声.     

基于医学图像分割的半自动ROI提取

针对当前ROI提取方法,提出了一种基于图像分割的半自动ROI提取算法,一方面保证提取出的ROI是有意义的对象,另一方面人为指定因素更小,对ROI提取的智能性有较大提高。在图像分割中提出一种基于改进的分水岭算法的医学图像分割方法,引入了浮点活动图像代替梯度图像进行分水岭变换,使分割结果边缘定位更准确,在分水岭变换之后,提出基于面积和对比度控制的合并小区域准则,可得到更好的分割效果。     

低频液体表面声波的光衍射效应研究

实验上采用频率为200Hz左右的低频液体表面波,其表面波波长约为2mm,观察到了清晰、稳定的衍射图样.并发现入射光掠入射时,其衍射图样非对称分布.理论上采用傅里叶光学的方法,得到了衍射光强度分布的解析表达式,根据这一表达式和实验上得到的衍射图样,可以得到表面波波长的实验测量值.提出了等效光栅常数的概念,等效光栅常数与表面波波长和入射方式有关.只要等效光栅常数与入射光波波长量级接近就可观察到衍射现象.理论上分析了衍射条纹对称性.光斜入射时,衍射条纹相对零级纹呈非对称分布,且随着入射角的增大,非对称分布的程度越大.     

基于置信传播的优化译码算法研究

该文在对LDPC码的译码算法分析的基础上,针对校验矩阵中含有的环对译码算法的影响,提出了一种在置信传播算法基础之上的译码算法。该算法通过及时切断消息在环上的重传回路,可消除因校验矩阵中的环回传原始信息对译码造成的影响,保证优质的原始信息能尽可能地传播到其能传播的节点,从而提升了LDPC码的译码性能。仿真实验表明,在低信噪比的信道中,该算法具有相当于传统算法的性能和更低的计算复杂度;在良好的信道条件下可以取得比传统算法更优异的性能。     

基于梯度相位相关的自动图像配准方法

图像配准是超分辨率重建、图像融合的基础。提出了非迭代的基于梯度相位相关的图像自动配准方法。首先分析了图像梯度和相位相关的理论,证明了提出方法的正确性;然后给出了图像配准的过程,并利用人工平移图像配准对该方法进行了实验验证。实验表明,该方法配准精度高,能有效地实现图像的自动配准。     

FFT算法的一种FPGA设计

在分析了快速傅里叶算法理论的基础上,提出了一种频率抽取基4FFT的FPGA设计方案,针对现有FFT的FPGA实现过程中蝶形运算需要频繁乘以多个旋转因子提出了改进方法,减少了旋转因子的乘法次数和存储空间,加快了蝶形运算的速度,设计的地址映射方法,无需运算即可得到所需数据的存放地址,并结合采用乒乓结构和流水线方式,来提高快速傅里叶变换(FFT)FPGA实现的速度,为实现FFT算法提供了一定的参考价值。     

采用场板和B+离子注入边缘终端技术的Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管

采用自主外延的4H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B 离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子n=1.08,势垒高度(ψe)=1.05eV,串联电阻为6.77mΩ·cm2,正向电压为4V时,电流密度达到430A/cm2.反向击穿电压大于1.1kV,室温下,反向电压为1.1kV时,反向漏电流为5.96×10-3 A/cm2.