陶瓷电容器的发展方向

陶瓷电容器仍将在世界电容器市场上居主导地位,而片式电容器将主宰陶瓷电容器和钽电容器市场。小型化、大容量、高电压、高频率、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向。1005型片式陶瓷电容器已流行,但0603型产品已上市,且0402型产品已在开发。目前,利用薄层和多层化（600-800层）技术以及内电极贱金属技术,     

一种高精度激光光路自动准直系统的实现

对高精度激光光路自动准直系统,提出了一种更加精准的四象限探测器的信号处理算法,采用四象限硅光电二极管代替传统的CCD探测光线指向,运用DSP技术处理探测信号,控制惯性压电陶瓷电动调节架快速自动准直,精度可达1μrad.该系统很好地解决了传统的CCD探测光线方法中的处理速度慢、校正精度低、占用资源大的问题.飞秒激光实验应用证明,系统能够实现激光光路的快速自动准直.     

导储能系统用电流型变流器控制超设计和实验

本文推导了SPWM控制下的电流型变流器的有功功率、无功功率和调制比、相位角的关系,设计了一种基于瞬时功率理论的电流型变流器功率闭环控制方法。结合变流器实验样机,对超导储能系统用电流型变流器四象限功率控制方法进行了验证．给出了试验波形。     

压电陶瓷光纤相位调制控制系统的研制

压电陶瓷光纤相位调制器是光纤傅里叶变换光谱测量系统中的核心器件之一,压电陶瓷驱动控制系统的输出电压特性决定了压电陶瓷光纤相位调制器的多种性能,如线性、分辨率、动态特性等,从而对光纤傅里叶变换光谱测量系统的光谱分辨率、测量速度和系统噪声等重要指标产生影响.应用复杂可编程逻辑器件(CPLD)、复合高压运放和单片机等先进电子技术设计压电陶瓷光纤相位调制控制系统.实验表明,该系统加载压电陶瓷容性负载后,在设定的频率范围内显示出了较好的动态特性与线形度,能很好地满足光纤相位调制技术对压电陶瓷工作电压波形的要求.     

毫米波LTCC组件中的波导-微带转换

介绍了Ka波段LTCC(低温共烧陶瓷)组件中矩形波导-微带的一种新型转换结构。这种转换结构通过波导和微带间的开槽耦合以及在LTCC多层布线基板中用金属填充通孔阵列等效替换波导壁而实现。此类型波导到微带的转换无需将安装在波导内的LTCC基板加工成特殊形状,便于加工,而且转换对LTCC基板和波导的机械安装公差要求较低。     

BaSnO3陶瓷的制备及其电性能研究

以BaCO3、SnO2为原料,微量SiO2、Bi2O3、Sb2O3作烧结助剂,Ta2O5作施主,采用传统的固相反应法,制备出相对密度达97%~99%,平均粒径约为8μm的BaSnO3半导体陶瓷。采用Na2CO3或Li2CO3与Mn(NO3)2的组合作受主掺杂可有效增强BaSnO3陶瓷的晶界效应。当x(Mn(NO3)2)为1%时,BaSnO3陶瓷电阻率达3.3×106Ω.cm,晶粒电阻率为4.3Ω.cm,视在介电常数为1.9×104(1 kHz),经电导激活能测试,估算出晶界势垒约为0.5 eV。     

高Q中介微波介质陶瓷的研制

用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca(Zn1/3Nb2/3)O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分都具有良好的微波介电性能:εr为45～50,Q·f0>38000GHz,τf<10×10–6℃–1。     

LTCC基P波段90°功分器的制作

文章以LTCC基P波段90°功分器的设计和制作为例,从无源设计仿真和LTCC工艺阐述了P波段功分器的研制过程。选用了承受功率大、尺寸相对较小的宽边耦合器结构。设计的宽边耦合器采用多层结构,有利于发挥LTCC基板多层、高集成度等优点。其电路物理模型为Broadside-coupled symmetric stripline（BCL）,采用的介质为LTCC,介电常数为5．9,每层介质厚度为0．1mm,导体采用Ag浆。在实物制作过程中,TOP层和Bottom层是采用灌银通孔实现的。最终测试结果与仿真结果吻合较好,在225MHz～400MHz频段内隔离23dB,插损0．5dB,驻波1．1,相平衡度±2．5,功率250W．     

多层陶瓷器件现状和未来的挑战

本文将注意力和重点放在界面问题，新材料和新器件概念上。关于材料界面，说明了理解多层电容器和压电体内电极．陶瓷相互扩散以及局部热化学处理的重要性。同时考虑在高频LTCC中不用传统埋置电容器并指出采用新中间材料的可能性。介绍了具有中等介电常数和低损耗特性、可与Al电极共烧并可为超低温共烧陶瓷（550℃）打下基础的新介电材料。最后得出LTCC的替代应用的概念并说明了使用介电电泳力控制微通道中胶体颗粒流动。     

压电陶瓷复材料参数测试方法的研究

要精确地描述压电材料的性能,必须把压电材料的参数作为复数考虑。本文作者研究了目前国内外主要的几种复参数测量方法。间接计算方法有Ｓｍｉｔｓ迭代法、Ｓｈｅｒｉｔ法以及压电谐振分析法等;直接测量法有利用正压电效应的准静态法及利用逆压电效应的激光干涉法。并给出了不同方法的原理、特点及仿真结果。