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201.
本文介绍了雷电侵害有线电视系统的一些特点,并对系统前端、光节点及电缆网在施工维护中的防雷接地措施做了较为完整的探讨。  相似文献   
202.
《光机电信息》2007,24(10):75-75
芬兰光器件制造商Modulight最近推出新的大功率1550nm 9mmTo—Can封装激光器ML1470。Modulight表示这款激光器主要针对自由空间光通信系统应用。利用Modulight在光通信领域几十年的经验,这款激光器只需要3A电流,可以支持500mW输出,并且可以支持电池供电。  相似文献   
203.
《光机电信息》2007,24(3):58-59
40Gb/s光收发模块是光通信领域内的高端光电子关键器件,是我国“十五”发展规划的重要课题,是光模块产品的制高点。武汉邮电科学研究院所属的武汉电信器件有限公司(WTD)是国内最早从事半导体有源光电器件和光电模块研发的单位之一。  相似文献   
204.
用CuBr脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣8例21个区域,其中11个区红色完全褪去,7个区残留少量浅色,3个区红色明显褪去,20个区域无疤痕形成。  相似文献   
205.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K和GdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行比较,结果进一步支持了本文的结论。还测  相似文献   
206.
本文详细研究0.532μm激光泵浦、温度调谐Ⅱ型非临界相位匹配LBO光参量振荡器。当温度从20℃升高到200℃时,其信号波和闲置波的调谐范围分别为1.002~0.898μm和1.134~1.306μm。本装置最吸引人之处是本征输出线宽比Ⅰ型情形小一个量级。  相似文献   
207.
多种原子团及其离子已具有在VUV/XUV波段产生受激发射的能力。本文介绍了产生短波长相干辐射的方法、研究现状、研究方法和原子团的结构与受激发射。  相似文献   
208.
As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm  相似文献   
209.
介绍为光纤光交换器(OXC)设计的表面微机械反射镜的设计、分析与鉴定。这些反射镜由静电微激励器控制,并为光束操纵OXC作了优化。其几何形状决定了它们适于高密度开关矩阵,并且由于在致动机械部分省略了摩擦性的铰链结构,使得这一器件的操作重复性很高。这一反射镜结构的特点之一是最大偏折角可调。它可以通过初始装配调节或更为经典地与标准表面微机械线性激励器联合来进行控制。反射镜使用了商用三层多晶硅表面微机械工艺制作。文中的OXC具有空间和波长可调的优点,特别适用于波分复用(WDM)开关系统。这里制作设计的OXC可用2N个反射镜实现N输入、N输出开关并保持全互连功能。假定额定初始镜转角为25°且入射光垂直于芯片表面,利用这种转镜最多可容纳19路信道。转镜的尺寸为460mm×430mm×1.5mm,用楔阱型静电激励器来激励。转镜的谐振频率为1.31kHz。系统使用衰减系数为0.3的不完全衰减,开关时间为6ms。最大偏折角取决于反射镜的初始偏折角,若初始偏折角为20°,则最大偏折角约为7°。构建了楔阱型微镜静电模型,且实验值与理论值符合得很好。  相似文献   
210.
报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.  相似文献   
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