消费的疑惑之多大的平板电视才需要全高清?

在电视机的产品宣传上,早期是吹牛,称王称霸,在数量上夸张,这些年国家对产品吹牛一直不上税,所以厂家胆子都大了。现在是神侃,概念满天飞,从技术上找玄机,远的记不住,例如最近让人找不着北的“量子电视”,不知道他要算出什么东西给您看,可     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生     

具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术

本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。     

在经典极限下量子斯特林制冷机的优化

经济利润率是评价一个实际热力装置的主要指标之一。将有限时间热力学，非平衡量子统计理论和yong经济学相结合，导出了量子斯特林制冷机的最大利润率以及对应的性能界限，其结果与实际斯特林制冷机的优化设计和模型评估提供了一个最佳的预选方案。     

SiGe／Si多量子阱中垂直方向红外吸收及共振色散效应

用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收，氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子，红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录，实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应，理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。     

半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。     

电荷离散化时介观电子谐振腔的量子线路方程与量子电流

基于电荷的离散性,运用最小平移算符的性质,研究介观电子谐振腔中量子电流的性质,给出量子Kirchhoff方程、量子电流关系式以及电流的量子涨落.结果表明,基于电荷量子化的事实,谐振腔中电荷具有量子振荡行为,量子电流关系及其量子涨落分别与电荷量子、Planck常数等有关,大小决定于体系的自感参量.     

光子晶体使面发射量子级联激光器成为可能

将光子晶体共振腔内置到量子级联激光器中，美国的研究人员已开发出一种小型的面发射激光器。这种激光器将在化学传感、光谱分析及成像中具有潜在的应用。美国新泽西州默里希尔的贝尔试验室和帕萨迪纳州的加利福尼亚工学院的科研小组共同研制的中红外激光器可作为研究光子晶体及微腔作用的样机系统。