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综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状,着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流,降低α参数和线宽的重要性。 相似文献
82.
用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器,并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA,输出光功率不小于5mW,最高工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100,000小时,主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当,完全可以满足实用要求。 相似文献
83.
84.
85.
86.
本文从理论上分析了介质膜对半导体激光器外特性如阈值电流,外量子效率和最大输出功率等的影响,实验研究结果也表明腔镜镀膜技术能有效地改善半导体激光器的输出特性,且工艺简便,较之设计研制新结构容易实现。 相似文献
87.
88.
We report one thick layer of hard-baked photoresist mask.The laser array stripe pattern was defined by standard wet lithography.With this mask, a 10 W QCW(quasi-continuous wave) operation of a narrow proton implanted multiple stripe conventional single quantum well separate confinement heterostructure(SQW-SCH) GaAlAs diode laser array has been realized.These devices exhibit the lateral far-field radiation pattern of a phase-locked array of gain-guided semiconductor injection laser array. The twenty stripe laser array has a lateral far-field beam divergence full width at half maximum (FWHM) of less than 3°, and three twenty stripe laser array has a beam divergence in the plane of the junction of about 9°. 相似文献
89.
利用MOCVD技术和光电子器件工艺成功制备了P-i-n结构的P-ZnSe-(Zn0.65Cd0.35Se-ZnSeMQW)-n-ZnSe自电光效应器件。在这种自由光效应器中,在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。 相似文献
90.