SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟

针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型．着重分析了Si／SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制．与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5％,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法．     

塑性变形单晶铜线材织构的研究

将单晶连铸技术制备的直径Φ8 mm工业单晶铜线材,在C733-4/ZF型工业拉丝机上按同一方向冷拔至直径分别为Φ4 mm、Φ2 mm和Φ1 mm的铜线材,应用极图分析和织构定量计算的方法研究了变形量与织构的关系.结果表明:变形单晶铜线材中的形变织构主要为<100>丝织构,也有少量<110>丝织构;随着变形量的增加,<100>丝织构的体积百分数先减小后增加,而<110>丝织构先增加后减小.     

某厂锗煤反射炉收尘系统问题探讨

文章介绍了某厂改造后的锗煤反射炉收尘系统，并对该收尘系统中存在的问题进行了分析和探讨。     

高锗锌原料湿法冶炼的实践

分析了锗在湿法炼锌浸出—净化过程中的行为,并通过实践确定了高锗锌原料湿法处理的工艺条件,介绍了存在的问题和解决措施。     

大颗粒硼皮金刚石聚晶及其合成方法

本发明为一种超硬材料及其合成工艺。以适当比例的黄金刚石单晶、硅、镍、硼为原料，经表面加硼处理、加硅镍粘结剂处理、高温高压合成等过程而合成。这种超硬材料的磨耗比、耐热性能及化学隋性都明显高于黄金刚石聚晶，高于含硼黑金刚石聚晶。在地质石油钻头、特殊材料加工用的刀具等方面有重要应用。由于本发明原料来源丰富，含硼量易于控制而使产品质量稳定，只需一般高压设备和简单的合成方法，而适于工厂生产的推广应用。     

镍基单晶合金DD3切口圆棒试样的蠕变响应有限元分析

针对切口圆棒试样,利用有限元方法模拟了国产镍基单晶合金DD3[001]取向的蠕变性能.计算结果表明:切口半径对应力分布有显著的影响,切口半径越大,蠕变应力越大;切口深度对蠕变性能的影响不大;切口半径对持久寿命的影响作用非常大,切口半径越小,持久寿命越大.在所研究范围内,切口对试样持久寿命的强化作用,得到他人试验的验证.     

一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究

我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点.     

钙钛矿结构的有机-无机杂化功能材料:(p-CphAH)2PbCl4

利用溶液降温的方法从盐酸溶液中生长出一种新的有机-无机层状钙钛矿结构的单晶(p-CphAH)2PbC14(p-CphAH为对氯苯铵离子).借助于元素分析值、核磁谱、X射线衍射方法、紫外及荧光光谱,系统研究化合物的结构和光学性能.标题化合物晶体为浅黄色长棱柱体,单斜晶系,C2/m空间群;a=2.2149(5)nm,b=0.7737(3)nm,c=1.7083(5)nm,β=104.784(5)°,V=2.8310(2)nm3.     

难熔金属单晶技术现状与展望

综述了当前难熔金属单晶制备的技术现状，介绍了难熔金属单晶技术进展，并对难熔金属合金单晶前景进行了展望。作者认为难熔金属单晶制备技术应沿着如下几个方面发展：进一步降低杂质元素特别是C元素的含量，提高单晶纯度水平；发展大规格、多品种的难熔金属单晶产品；进一步提高难熔金属合金单晶耐热性能和使用温度，研发出新的难熔金属合金单晶制备技术。     

反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 μm的晶片。为了减少切割难度 ,可生长反偏籽晶的单晶 ,但要保证单晶能割出Φ2″( 10 0 )圆片 ,必须增加单晶锭的截面积。由于GaAs的热导率小 ,大截面单晶生长要困难得多。通过改变固液截面附近的加热元件结构 ,在特定方向加强了散热 ,延伸了温度梯度的线性范围 ,使用反偏籽晶 ,成功地生长了Φ2″HB GaAs单晶。和正偏籽晶单晶相比 ,这些单晶锭的切割破损率减少了 2 4% ,每 10 0mm长度出片数增加了 3 0 %。