扎波罗热钛镁联合企业的半导体硅与锗的生产技术状况

扎波罗热钛镁联合企业具有３０余年的半导体生产历史，拥有从原料制备，单晶生长到成品加工的系统工艺，该厂生产规模较大，技术水平高，还有强大的研究开发与检验测试组织。     

1.55μm Si基光电探测器的研究进展

从材料的生长、器件结构的选择等方面对1．55μm锗光电探测器的研究进展进行了综述，对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。     

用氢氧化钠反萃锗的试验与应用

对硫酸体系中,使用P204+Yw-100协同萃取锗、镓工艺中的锗反萃剂进行了研究,探索出采用0.5mol/lNaOH溶液作反萃剂,它既能保留原工艺流程短的优点,又能提高锗的反萃率,且反萃后的有机相在萃取过程中不易乳化,适合于含锗浓度高及低的有机相的萃取。     

单台固定的激光晶体发射出红、绿、蓝色光

含有单个活性增益材料的固体激光器同步产生了红、绿、蓝色光，这种器件对于全彩色成像系统是非常有价值的．具有特色的是，该RGB激光是由激光棒和非线性晶体的复杂组合而实现的．单晶RGB激光器的一个样机已由法国Claude Bernard-Lyon大学和中国科学院开发出来，它是由基于钕掺杂的四硼酸钆铝晶体(NGAB)制作的．     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

业精于专 方显卓越——访维利安半导体设备(上海)有限公司销售总监姜至善

“业精于专,方显卓越”微雕大师如是说。当前,许多晶圆代工厂以200mm、0.18μm作为半导体集成电路的主要技术及产品提供给市场,有的晶圆代工厂200mm、0.18μm产品已达到60%。但是为了抢占市场的至高点,目前相当部分的芯片制造商目前正在把0.18μm工艺提升到0.13μm,随着芯片制造工艺技术的提高,对离子注入机的技术要求也越来越高。记:姜总,维利安半导体设备公司作为一家在离子注入机领域享有很高知名度的半导体设备供应商,您能否简单地给我们介绍一下?姜:维利安半导体设备公司(纳斯达克简称:VSEA)是一家全球性的跨国高科技公司,总部位于美…