热处理对铸铁基多孔陶瓷复合材料组织与性能的影响

研究了热处理对铸铁基多孔陶瓷复合材料组织与性能的影响，结果表明，热处理正火，淬火均可不同程度地提高该复合材料的整体强度与耐磨性，而不影响铸铁－陶瓷的界面结构及材料的透气性。     

H13钢经不同表面处理后的静态抗铝热熔损性能比较

将经过蒸汽氧化、离子渗氮和渗硼等不同表面处理的H13钢试样浸入铝液进行静态熔损试验，探索并建立了一套熔损评定方法一即用试样质量损失的方法评定熔损情况。对铁铝界面进行了显微观察和能谱分析。结果表明，在相同试验条件下熔损后，铁铝界面组织颜色自深至浅依次为：深色的H13钢基体、深灰色致密金属问化合物层、浅灰色致密金属问化合物层、含游离金属间化合物的铝层以及附着的铝。离子渗氮试样和渗硼试样的热熔质量损失要比氧化试样更少，显示了更好的热熔损抗力。     

磁控溅射在镁合金表面处理中的应用

采用磁控溅射制备的合金表面膜层具有防腐蚀性能优异、耐磨性强等优点,其作为镁合金表面处理技术具有良好的发展趋势。简要介绍了磁控溅射的基本原理及其在镁合金表面处理中的一些应用,并着重给出了反应磁控溅射“Berg”模型的简化计算方法,最后对国内外磁控溅射的最新技术以及应用于镁合金表面处理的趋势进行了展望。     

固溶处理对Ti-600高温钛合金蠕变性能的影响

研究了固溶处理温度和随后的冷却方式对Ti-600高温合金蠕变性能的影响。结果表明,为了获得最佳的抗蠕变性能,宜采用相变点以上的温度进行固溶及随后空冷的处理制度,合金在600℃、150MPa条件下进行蠕变变形,主要受晶界滑动和晶内位错的滑移和攀移所控制。     

提高精锻机锻造大规格高碳铬轴承钢的合格率

精锻机锻造高碳铬轴承钢时存在网状碳化物不易破碎、锻件合格率低的问题。通过采用锻后雾冷+正火雾冷+球化退火的热处理工艺,将轴承钢锻件网状碳化物的合格率从66%提高至93.4%。     

拜耳法助滤剂研制

拜耳法氧化铝生产中。溶出矿浆经重力分离沉降槽液固分离后。溢流溶液中仍然合有一定的浮游物杂质．在分解之前。需要对溢流进行二次净化，以脱除其中的浮游物。国内拜耳法氧化铝厂目前采用的二次净化方法一般是用凯利叶滤机过滤。受溢流溶液的物理化学性质的影响，叶滤机产能常常会受到溢流溶液过滤速率的限制。铝酸三钙既能加快拜耳法溶液的过滤速率，又能降低滤液的浮游物含量。本文论述了合成铝酸三钙的技术条件对其助滤性能的影响。研究表明，合成温度、钙铝摩尔比、碱浓度会影响助滤剂铝酸三钙的粒度分布、晶体结构及组成，继而影响其助滤性能。控制适宜的合成条件。可以制备出助滤性能优良的铝酸三钙。     

热处理对AlN·Al_3Ti/ZL101原位复合材料力学性能的影响

研究了不同热处理制度对AlN.Al3Ti/ZL101原位复合材料力学性能的影响。结果表明,该复合材料中增强相尺寸为亚微米级,最佳的热处理制度为:530℃×5h固溶,60～80℃水中淬火,160℃×14h时效。在最佳热处理制度下,复合材料的抗拉强度、硬度、伸长率分别为345MPa、108HB和3.5%,均较铸态有较大幅度提高。     

如何有效提高PLC控制系统的可靠性

本文简述了影响PLC控制系统可靠性的主要因素,并就PLC的工作环境、电源的要求、接地和连接线的方式、冗余设计和降级操作设计、控制系统的输入电路和输出电路与PLC的软件程序编制等多个方面,提出了一些可行的方法和措施。     

喷射成形A356铝合金组织及力学性能的研究

采用自行开发的控制往复喷射成形专利技术,以产业化规模制备了铝合金锭坯,研究了对传统铸造A356铝合金的组织及其力学性能的影响.结果表明:喷射成形态合金组织均匀,致密度达到95.8%;挤压态合金中均匀分布大量细小Si颗粒;固溶温度为540℃,时效温度为160℃,时效10 h时硬度达到峰值,继续延长时效时间对硬度值影响甚微;经过固溶时效处理的A356铝合金常温抗拉强度σb=337 MPa,屈服强度σ0.2=281 MPa,伸长率δ5=18.3%,分别提高21.2%,35.7%,205%.     

纳米晶软磁薄膜Fe-Ti-N的结构、磁学性能和热稳定性研究

在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630－780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明：当膜成分（原子分数，％，下同）在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内，薄膜由α′和Ti2N沉淀组成，磁化强度4πMs超过纯铁，最高可达2.38T；而矫顽力Hc下降为89A／m，可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR／感应式复合读写磁头中写入磁头的需要，N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度；Ti的加入，阻止α′→α γ′的分解，稳定了强铁磁性相α′，是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系：Hc^D∝D^6，晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙，引起极大的畸变，使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用，能使晶粒度下降到约14nm，使Hc下降。晶界是择优沉淀地点，在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用，阻止晶界迁移，使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。