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SUNHongxia LUHongchang 《半导体光子学与技术》1998,4(2):74-77,98
Using the ray trace method,three-section semiconductor lasers are studied .An analytic expression of output power for the three-section semiconductor lasers is derived for the first time.Frome this expression,threshold condition is also obtained. 相似文献
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由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 相似文献
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本文报导一种能充分利用掺钛蓝宝石本身的色散能力,作为调谐及压缩线宽的掺钛蓝宝石激光器,谐振腔采用梯形棱镜掺钛蓝宝石晶体和两块ZF6的色散棱镜压缩线宽并构成调谐系统,用三块输出镜,实现了265.3nm的调谐范围;泵浦光能为85mJ/pulse时,在762.6nm处得到11.8mJ/pulse的最大光能输出,光一光转换效率达13.9%。 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》1998,35(7):9-11
由于日本日亚化学公司S.Nakamura1997年演示的连续波二极管激光器的外推寿命达到了10000h,氨化镓(GaN)研究人员将会记住这一年。同年的材料研究协会(MRS)秋季会议(1997年12月1~5日在波士顿举行)也因此及时地给Nakamura的GaN发光二极管商业化成就授予了材料研究协会奖,并且很快把二极管激光器包括到“GaN二极管激光器的工业应用”辅导会议中。该辅导包括三个专家讲演的特邀论题,即印刷、光记录和显示业,由此地激起了GaN激光器对这些领域未来影响的设想。加州施乐帕罗·阿尔多研究中心的R.Bringans评述了印刷业和它转移到… 相似文献
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