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111.
The thermal stability of interfaces between metals (Ni, Pt, Ti, Mo) and III-V compound semiconductors has been investigated
by the application of Rutherford backscattering spectrometry. Metal diffusion and interfacial lattice disorder of the semiconductors
were analyzed for various metal/semiconductor samples annealed at temperatures up to 500°C. The interfaces of Ni/GaAs and
Ti/GaAs were found to be more stable than those of Ni/In-based semiconductors and Ti/ In-based semiconductors, respectively.
Faster diffusion of Pt atoms was ob-served in In-and As-containing materials than in P-containing materials. Mo/ semiconductor
interfaces were the most stable. 相似文献
112.
续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
113.
介绍了调剖剂XJF的配方,讨论了影响调剖剂性能的配方因素(膨润土含量、HPAM溶液浓度、XJ用量及添加剂Fc的浓度),考察了封堵能力和应用范围,简介了在火烧山油田现场试验的结果。 相似文献
114.
115.
116.
由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 相似文献
117.
118.
客户机/服务器计算环境 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍了客户机/服务器计算环境的基本概念和产生背景,阐述了客户机/服务器计算中操作系统的选择原则及企业级客户机/服务器计算环境的特点。 相似文献
119.
120.
文章简要地介绍了InGaAs/InP PIN PD阵列的制作现状及其应用和发展趋势。 相似文献