AMOLED像素电路的设计与仿真研究

为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法.最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流...     

一种基于TDLAS谐波探测技术的甲烷传感器

实验研究了近红外二极管激光吸收光谱(TDLAS)技术在煤矿瓦斯气体安全探测中的应用.基于TDLAS的自平衡二次谐波探测方法能够有效地消除激光器光强波动等共模噪声和其他同性干扰的影响,特殊设计的气体吸收池能有效抑制光学干涉条纹,从而降低检测限.实验中吸收池长10 cm,充有10300 ppm的甲烷气体,检测限低于6.5 ppm.这种方法不需使用多次反射池,光路调节简单,能适应煤矿中甲烷气体的监测.     

发光二极管负电容与角频率的关系

利用正向交流(AC)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容;得到了发光二极管负电容与角频率的关系表达式.     

整流二极管的IR对HTRB工作寿命的影响

整流器件在工作中的可靠性往往与其漏电流特别是在高温下的漏电流有密切关系,然而对高温下的漏电流往往关注不够。通过对常温与高温漏电流的对比测试,发现两者并没有一致的对应关系;通过对高温漏电流有较大差别的两组样品的高温反偏寿命试验表明:高温漏电流越大,高温反偏寿命越短,说明高温漏电流对高温反偏寿命有重要影响。依据此结果提出了通过对高温漏电流进行测试,实现对高温反偏寿命进行分档、筛选的设想。介绍了利用正向脉冲电流对二极管的pn结进行瞬态加热以实现对高温反向漏电流的快速测试的具体方法。     

半导体激光器稳频技术研究

具有窄线宽和较高频率稳定性的半导体激光器,在高分辨率激光光谱、原子频率标准、大气和环境监测、光通信等众多领域中具有极其重要的应用。因此半导体激光器的稳频研究具有十分重要的意义和应用价值。较为全面的总结了目前国内外广泛应用的各种半导体激光器稳频技术,简要介绍了各稳频技术的实验方案及基本原理;对各方案的特点、能够达到的频率稳定水平、优缺点等进行了全面的分析。对半导体激光器稳频发展趋势做了预测。     

具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备

设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极 管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比, 在正向电流20mA下,其光功率提高了7.6%,而正向电压和波长基 本维持不变。对这两种HV-LED 芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究。封装白光后的测试结果表明,在色温 4500K、 驱动 电流20mA下, 具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达 125. 6lm/W。在标准测试温度为20℃、正向电流为20mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1000h后,光衰仅为2%。     

新材料“FGM”在冶金矿山设备中的应用

“FGM ”即弥散强化复合金属梯度功能材料，是一种配制的合金粉末，对被修复的部位实施工频预热、利用激光技术熔融结合层、过渡层、工作层及焊接加工层的工艺方法，达到修复崩齿、弥补齿面磨损和齿面强化处理的目的。选用不同的合金粉末，可达到不同的表面性能，这一工艺方法还可应用于中大型轴类、轴承、齿轮内外圈及其它需要进行表面强化的零部件。     

基于Cortex-M4 和FreeRTOS的矿用三维激光扫描测量系统设计

为了满足矿用三维激光扫描系统的需求,设计了基于Cortex-M4内核和嵌入式实时操作系统FreeRTOS的运动控制和数据采集系统。采用Cortex-M4为内核的STM32F407ZGT微控制器和APM电机控制器等进行相关的硬件电路设计,通过移植FreeRTOS内核实现对运动控制、激光传感器数据采集、摄像头视频传输等任务的调度和对其他硬件资源的管理,简化了硬件设计的复杂度,优化了软件编程,提高了系统的实时性和可靠性,降低了成本。     

激光标刻、电解标刻对GH4169疲劳性能的影响

对GH4169合金进行激光标刻和电解标刻处理,研究了两种标刻工艺后GH4169合金的高周疲劳性能及其断裂机理。结果表明,激光标刻、电解标刻后试样的抗拉强度下降幅度很小,几乎不影响合金的抗拉强度,与未标刻的GH4169合金疲劳寿命相比,激光标刻后合金疲劳寿命下降19.2%,电解标刻后疲劳寿命下降16.0%。从标刻截面处观察发现激光标刻后的形貌较为尖锐,电解标刻的陷坑形貌较为圆滑。通过观察裂纹源区形貌发现未标刻试样裂纹从合金表面处萌生,激光标刻试样缺口处产生了高应力集中,加快了裂纹的萌生速率。电解标刻位置存在呈灰暗色的化学蚀刻层,进而引起裂纹的萌生和扩展,综合比较下航空用电解标刻工艺所标刻的试样比激光标刻工艺疲劳性能更优。     

超辐射LD与带类球透镜保偏光纤的耦合技术

采用高斯模场近似和模场匹配方法,对超辐射激光二极管与带类球透镜单模熊猫型保 偏光纤的耦合,进行了仿真计算和实验研究。分析了耦合效率与光源激发的光模场、光纤结构及光纤头部形状、耦合工作参数等因素的关系。通过改进耦合技术获得了较高的耦合效率。