Na和Ti掺杂对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法制备了Na-Ti掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷。研究了Na+替代Bi3+,Ti4+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、显微结构和介电性能的影响。结果表明,掺入Na+和Ti4+后,Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷的烧结温度从1000℃降到了860℃左右;在–30℃～+130℃的温度范围内,Na-Ti掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷表现出明显的、激活能约为0.3eV的介电弛豫现象。这主要是由缺陷偶极子和晶格畸变在陶瓷中的出现引起的。     

宽禁带半导体材料技术

宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。     

电路课程中替代定理教学的探讨

替代定理是电路课程教学内容的重要组成部分,然而教学中发现初学者学习并灵活应用此定理并不理想。本文根据实际教学经验,从新角度扩展该定理为灵活分析电路提供了新的思路,并讨论定理成立的条件、含有受控源电路的替代和替代与等效的区别。由这四方面对替代定理进行探讨,并基于伏安曲线借助实例进行分析,为替代定理的教学提供了有益的建议。     

B位取代对钛酸锌相结构及介电性能的影响

通过固相烧结法结合半化学法制备了ZnO-(1-x)TiO2-xSnO2(x=0.04~0.20)陶瓷,掺杂1.0%3V2O5(质量分数)-B2O3降低陶瓷的烧结温度,研究了B位取代对ZnTiO3相结构及介电性能的影响。结果表明,Sn的加入促进了六方相分解,形成了立方尖晶石结构的固溶相Zn2(Ti1-xSnx)O4;随烧结温度升高,Sn的固溶量增加,900℃时,最大固溶量为0.08 mol。900℃烧结试样,随x增加,其介电常数ε先增大后减小,而介电损耗tanδ恰好相反,先减小后增大,当x=0.12时,得到ε的最大值(ε=29)和tanδ的最小值(tanδ=9.86×10-5)。900℃烧结的具有优良介电性能的ZnO-(1-x)TiO2-xSnO2(x=0.04~0.20)陶瓷有很好的实际应用前景。     

金属氧化物对镉电极的影响

本文研究了几种金属氧化物对镉电极活性物质利用率以及对密封Cd/Ni蓄电池荷电保持能力的影响。结果表明,镉电极中添加MgO、ZnO和Fe_2O_3可提高活性物质利用率;添加o_2O_3则显著降低活性物质利用率。MgO、In_2O_3和ZnO的添加,提高了密封Cd/Ni蓄电池的荷电保持能力;Co_2O_3和Fe_2O_3的添加,降低了其荷电保持能力。最后,探讨了MgO和ZnO在镐电极中的适宜添加量。     

纳米微粒作为电池活性材料的前景

介绍了用溶胶凝胶法、微乳法、低热固相反应法制备纳米级电池活性材料——如MnO_2、Ni(OH)_2、Bi—MnO_2、LiCoO_2以及这些纳米材料的充放电性能。数据表明,一般来说这些纳米材料本身的放电容量并不比相应的常规粒径材料好,但若与常规粒径材料混合,则存在一个最佳混合配比,可大大提高其放电容量。因而纳米材料有可能成为有前景的电池活性材料。     

GaAlInP发光材料计算的经验公式

根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。     

双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析

从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺，结构设计有指导意义。     

THE GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON THIN FILM ON INSULATOR (SOI) BY SCANNING ELECTRON BEAM

An experiment for preparation of SOI films by using the scanning electron beam to modify the polycrystalline silicon on SiO2 is presented. This method takes on the epitaxial lateral growth of liquid phase with the crystallon to form monocrystalline silicon films. The effects of the beam power density, scanning velocity, temperature of the substrates and the construction of samples on the quality of the monocrystalline silicon films were discussed. A good experimental result has been obtained, the monocrystalline silicon zone is nearly 200×25μm2.     

真空电击穿的材料显微组织影响因素

本文总结了合金的显微组织对真空击穿的影响规律。应用材料学科和电子、电气学科的基本理论，在大量实验基础上提出了关于合金耐电压强度的新观点。本文介绍了真空击穿实验过程，并从四个方面说明材料显微组织对耐电压强度的影响：①合金的首击穿相；②老炼的作用；③硬度与耐电压强度的关系；④添加合金元素的影响。