改进LSB算法及其在BMP图像中的应用

首先分析了BMP图像文件格式，然后根据传统LSB算法在BMP图像文件中应用，提出一种改进的LSB隐藏算法，提高了伪装图像质量。最后通过仿真验证了该算法的优越性。     

锡铁山铅锌矿物质组成及金银的赋存状态研究

青海某铅锌矿物质组成复杂,矿块浸染严重,为了查清矿样的物质组成和矿物分布特征,本文通过镜下鉴定、化学分析、电子探针等多种手段综合研究,在查明该铅锌矿的矿物组成、矿石结构、主要矿物的种类及其分布特征的基础上,对矿样中金的赋存状态和分布进行了研究。     

GaAlInP发光材料计算的经验公式

根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。     

双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析

从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺，结构设计有指导意义。     

真空电击穿的材料显微组织影响因素

本文总结了合金的显微组织对真空击穿的影响规律。应用材料学科和电子、电气学科的基本理论，在大量实验基础上提出了关于合金耐电压强度的新观点。本文介绍了真空击穿实验过程，并从四个方面说明材料显微组织对耐电压强度的影响：①合金的首击穿相；②老炼的作用；③硬度与耐电压强度的关系；④添加合金元素的影响。     

金属氧化物对镉电极的影响

本文研究了几种金属氧化物对镉电极活性物质利用率以及对密封Cd/Ni蓄电池荷电保持能力的影响。结果表明,镉电极中添加MgO、ZnO和Fe_2O_3可提高活性物质利用率;添加o_2O_3则显著降低活性物质利用率。MgO、In_2O_3和ZnO的添加,提高了密封Cd/Ni蓄电池的荷电保持能力;Co_2O_3和Fe_2O_3的添加,降低了其荷电保持能力。最后,探讨了MgO和ZnO在镐电极中的适宜添加量。     

纳米微粒作为电池活性材料的前景

介绍了用溶胶凝胶法、微乳法、低热固相反应法制备纳米级电池活性材料——如MnO_2、Ni(OH)_2、Bi—MnO_2、LiCoO_2以及这些纳米材料的充放电性能。数据表明,一般来说这些纳米材料本身的放电容量并不比相应的常规粒径材料好,但若与常规粒径材料混合,则存在一个最佳混合配比,可大大提高其放电容量。因而纳米材料有可能成为有前景的电池活性材料。     

THE GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON THIN FILM ON INSULATOR (SOI) BY SCANNING ELECTRON BEAM

An experiment for preparation of SOI films by using the scanning electron beam to modify the polycrystalline silicon on SiO2 is presented. This method takes on the epitaxial lateral growth of liquid phase with the crystallon to form monocrystalline silicon films. The effects of the beam power density, scanning velocity, temperature of the substrates and the construction of samples on the quality of the monocrystalline silicon films were discussed. A good experimental result has been obtained, the monocrystalline silicon zone is nearly 200×25μm2.     

半导体激光器与新材料

介绍了半导体激光器和半导体光电材料研究的新进展。     

亚微米TATB的制备、表征与性能测试

采用溶剂-非溶剂重结晶细化技术制备了平均粒径为520.9nm的亚微米级TATB,与扫描电镜照片进行了对比.对超细TATB的性能进行了测试,以零间隙小隔板试验和爆发点试验为基础,研究了超细TATB的能量输出和热感度.结果表明,与原料TATB相比,亚微米TATB的爆发点降低了3.22%,钢凹值提高了8.51%,并对其原因进行了理论分析.