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为了在非平稳、非线性条件下能得到真实风场的良好估计,提出了一种用空间分布天线(SA)雷达信号的增量累积量测量大气风场参数的方法。该方法基于结构函数方法,利用高阶累计量在信息处理中的特性,用零延迟的增量累计量求解平均水平风速等具体参量,并在大气散射模型基础上对增量累积量方法进行了数值模拟,得出了同理论分析一致的结果.分析和计算表明,该方法完全适用于局地平稳条件,可以减小风场参量估计对天线间距的敏感度;阶数k≥3时,对高斯噪声有很强抑制;同时可以得到风场参量的高阶估计,这是普通的二阶方法(如全相关分析、全谱分析)不具备的。 相似文献
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Peter V. Sushko Alexander L. ShlugerKatsuro Hayashi Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):161-167
Recently it has been discovered that a nano-porous main group oxide 12CaO·7Al2O3 (C12A7) can be converted from a wide-gap insulator to a good transparent conductor. Using ab initio modelling we explain good conductivity of this material by very small barriers for hopping of localised electrons between neighbouring positive cages. We show that optical absorption of C12A7 in infrared region and at energies higher than 2.7 eV is due to inter-cage and intra-cage electron transitions, respectively. The proposed mechanisms can be useful in further search for conducting transparent media. 相似文献
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本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Z型L-B膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰L-B膜分子第一层之间的电荷转移速度常数K_o,L-B膜分子层间的电荷转移速度常数k_i;对峰电位差△E_p及阳极峰面积Q的影响,以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。 相似文献
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Gabriel Wainer 《Software》2002,32(13):1261-1306
The features of a toolkit for modeling and simulation based on the DEVS formalism are presented. The tool is built as a set of independent software pieces running on different platforms. Not only are the main characteristics of the environment presented, a focus on its use is also considered by inclusion of application examples for a variety of problems. Many models can be defined in an automated fashion, simplifying the construction of new models and easing their verification. The use of this formal approach has allowed the development of safe and cost‐effective simulations, significantly reducing development time. Copyright © 2002 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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Alessandro Fantoni Manuela Viera Rodrigo Martins 《Solar Energy Materials & Solar Cells》2002,73(2):148
In this paper a set of one-dimensional simulations of a-Si:H p–i–n junctions under different illumination conditions and with different intrinsic layer are presented. The simulation program ASCA permits the analysis of the internal electrical behaviour of the cell allowing a comparison among the different internal configurations determined by a change in the input set. Results about the internal electric configuration will be presented and discussed outlining their influence on the current tension characteristic curve. Considerations about the drift–diffusion and the generation–recombination balance distributions, outlined by the simulation, can be used to explain the correlation between the basic device output, the i-layer characteristics (thickness and DOS), the incident radiation intensity and photon energy. 相似文献
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