K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

Nd：MgO：LiNbO3晶体的荧光光谱及其双晶体腔内互倍频实验

采用激光感生荧光技术测量了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体的偏振荧光光谱，简要地说明了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３双晶体腔内互倍频的基本原理，并在实验中用染料激光作泵浦源实现了其双晶体腔内互倍频运转；得到５４３ｎｍ横模倍频绿光单端输出约ＹＭＷ，腔前泵浦阈值约３８ＭＷ，总转换效率约为１．３％。     

温度调谐LBO晶体光参量振荡器

本文详细研究０．５３２μｍ激光泵浦、温度调谐Ⅱ型非临界相位匹配ＬＢＯ光参量振荡器。当温度从２０℃升高到２００℃时，其信号波和闲置波的调谐范围分别为１．００２～０．８９８μｍ和１．１３４～１．３０６μｍ。本装置最吸引人之处是本征输出线宽比Ⅰ型情形小一个量级。     

双波长Nd：YAG脉冲激光器的实验研究

根据多波长同时振荡条件，我们建立了大能量１０６４ｎｍ和１３１８ｎｍ同时运转的双波长脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光器。得到了１０６４ｎｍ和１３１８ｎｍ的激光输出能量分别为０．５９４Ｊ和０．８６１Ｊ，效率分别为０．３１％和０．４５％。实验结果说明了该双波长激光器有较好的时间和空间重选性。     

YAG脉冲激光器快速连通保护系统

本文阐述了ＹＡＧ脉冲激光器的一种快速连通保护系统，利用大功率二极管作为连通故障信号检出的关键元件，采用了可控硅与继电器双重保护，使得整个保护系统既快速可靠，又简便适用。     

半导体制冷晶体直接镀镍的研究

1　前言我公司是一个生产半导体制冷器的企业 ,在半导体N型、P型基材表面上需进行电镀。至今一直采用如下工艺 :晶片基材喷砂喷镍喷砂预镀镍镀镍浸锡切割组立上述表面处理工艺环节过多 ,成本较高 ,喷砂、喷镍中易引起晶片破裂。同时 ,因晶片表面受到高温、高压的冲击 ,影响制冷性能 ,导致半导体制冷器最高温差在△ 74°C ,低于国际先进水平的△ 76°C。据介绍 ,如果减少对晶体的热冲击 ,采用在半导体N型、P型晶片表面直接电镀 ,可以把温差提高 1.5～2 .0°C。但由于半导体制冷材料的特性 ,在这上面直接电镀镍层 ,镀层结合力不够稳定 ,平…     

激光二极管泵浦微片Tm，Ho：YLF激光器的实验研究

本文对激光二极管泵浦(Tm，Ho)：YLF平-平腔微片激光器进行了实验研究．(Tm，Ho)：YLF晶体中Tm^3 为感光离子，Ho^3 为激活离子。Tm^3 在近红外区是很好的感光物质。与Tm相比，Ho激光器的激光上能级寿命与Tm相同，但是它有比Tm更大的受激发射截面。这是Ho比Tm更适合做激活离子的原因．