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51.
采用不同合金,通过控制电流密度以及改进封闭剂等方式,获得绝缘性能优异的阳极氧化膜,并使用金相显微镜、扫描电镜进行微观表征。试验结果表明,在相同铝合金的前提下,氧化电流密度控制在1.5A/dm 2~1.8A/dm^2,膜厚等级AA15,使用ZW1封闭剂可获得绝缘性能优异的阳极氧化膜。  相似文献   
52.
Constructing hollow nanostructures is attractive for both fundamental research and practical applications. However, how to prepare hollow nanostructures in a simple, scalable, and cost‐effective way still remains a great challenge. In this study, for the first time, the anodization technique is applied to construct hollow nanostructures. Specifically, hollow nanospheres of SnS/SnOx with a hierarchical porous structure are self‐assembled directly on the Sn substrate, via a convenient one‐step anodization method. When applied for sodium‐ion batteries, the thus fabricated SnS/SnOx hollow nanospheres on the substrate readily serve as a binder‐free electrode, delivering remarkably high cycling stability and rate capability.  相似文献   
53.
Vertical organic transistors are an attractive alternative to realize short channel transistors, which are required for powerful electronic devices and flexible electronic circuits operating at high frequencies. Unfortunately, the vertical device architecture comes along with an increased device fabrication complexity, limiting the potential of this technology for application. A new design of vertical organic field‐effect transistors (VOFETs) with superior electrical performance and simplified processing is reported. By using electrochemical oxidized aluminum oxide (AlOx) as a pseudo self‐aligned charge‐blocking structure in vertical organic transistors, direct leakage current between the source and drain can be effectively suppressed, enabling VOFETs with very low off‐current levels despite the short channel length. The anodization technique is easy to apply and can be surprisingly used on both n‐type and p‐type organic semiconductor thin films with significant signs of degradation. Hence, the anodization technique enables a simplified process of high‐performance p‐type and n‐type VOFETs, paving the road toward complementary circuits made of vertical transistors.  相似文献   
54.
胡楠  傅劲裕 《集成技术》2018,7(1):34-42
为更加精确地控制阳极氧化制备二氧化钛纳米管(Titanium Dioxide Nanotubes,TNT)阵列层 的尺寸,采用高压扭转加工(10 转),使粗晶粒钛(13 μm)转变为超细晶粒钛(135 nm),再采用两步阳极氧化法(30 V 直流电,时间 16 h、6 h)在两种钛试样上制备二氧化钛纳米管阵列层。金相、透射电镜、扫描电镜观察和接触角测试结果表明,高压扭转加工造成的晶粒细化使 TNT 阵列层更厚、管径更均匀,也改变了 TNT 阵列层的形貌,使接触角增大。该实验还探讨了两步氧化法提高 TNT 阵列层质量和晶粒细化影响 TNT 阵列层结构和润湿性的机理。  相似文献   
55.
任青剑 《工具技术》2017,51(1):76-78
电液比例控制阀是汽车AT变速箱的核心元件,而电磁阀ATF油压调节是靠衔铁推动阀芯克服主油路压力、弹簧推理和摩擦力在阀体内孔中移动实现的。阀体内孔是难加工的多台阶高精度小孔,阀芯顺畅移动取决于阀芯和阀体内孔的加工质量。本研究通过采用多参数的单因素影响试验方法,对加工刀具、加工方法和切削用量参数等进行加工试验,最终获得了能够保证阀体内孔加工质量的工艺方案。  相似文献   
56.
A simple and cost effective method for fabricating long-range ordered porous anodic alumina (PAA) membranes is presented, which explores a self-ordering regime with controllable interpore distances over a large scale (300–360 nm). The cohesive force at the hemi-spherical scallop/cell wall (HS/CW) interface is weaker than the other locations. When the PAA membranes were immersed in H3PO4 solution, regular cheese-like hexagonal patterns have been propagated at the cell boundaries. With increased etching time, numerous pores were observed at triple points where three cells met. The distinct fracture and etching behaviors in PAA can be ascribed to the intense ionic transport accompanied by the volume expansion in the barrier region under high electric field.  相似文献   
57.
朱小虎 《福建建筑》2008,(10):44-45
本文采用二次阳极氧化方法,以草酸溶液为电解液制备了孔径为60nm的有序的氧化铝模板,采用扫描电镜观察其表面和截面形态,并对阳极氧化过程硬有序孔洞的形成机理进行了分析。采用电化学沉积的方法制备了Ni纳米丝阵列,并采用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪对其结构进行表征。  相似文献   
58.
59.
综述了电解质对氧化膜性能影响,为设计、选用阳极氧化工艺提供参考。随着人类环保意识的增强,未来镁合金阳极氧化电解质研究重点在于开发更多、对环境和人类友好且能较大提高氧化膜耐蚀性的物质。  相似文献   
60.
采用阳极氧化法在铁片表面原位构建了纳米氧化铁层,以SEM、XRD、XPS对其结构进行表征,并采用静态接触角法考察了其表面润湿性能及其稳定性。结果表明,阳极氧化法以及直接煅烧均可在铁片表面生成具有超亲水性的氧化铁纳米丝结构。相比直接煅烧,阳极氧化法所得氧化铁表层纳米丝更为密集,结构稳定,其超亲水性能可保持72h以上,表现出较高的稳定性。  相似文献   
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