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Aiming at the issues in quick processing and modeling design of drawing special-shaped tube die, by Conformal Mapping Theory and the numerical trigonometry method of interpolation between odd points and even points, the conformal mapping function is obtained. As the result, three-dimension drawing forming were converted into that of two-dimension problems, and the plastic stream function was analyzed, die cavity modeling and its optimized function were set up. Combining with modern processing technology, NC program and CAM of die cavity can be realized. Taking the drawing forming of hexagon tube with arc radii r and ellipse-shaped tube as instances, the drawing die cavity optimization of special-shaped tube was achieved, as well as, the changing principle of wall thickness was analyzed. 相似文献
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运用基于CAE技术的注塑工艺参数优化配置和注塑工艺方案设计的思想,结合正交试验设计方法对工艺参数进行CAE仿真试验,并以零件翘曲变形为优化目标,通过敏感因子分析,获得最佳工艺参数组合.经注塑机试模和三坐标测量机的检测分析,验证了CAE模拟结果的准确性和最佳工艺参数组合在实际生产中的效果. 相似文献
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模具生产联合体是由小规模企业组成的模具设计、制造联盟,由于设备、工装和人员分属于不同的加盟企业,其作业排序过程非常复杂。为此提出一种复合式模具生产联合体的生产排序方法:依据基本优先规则首先完成单一工序作业,然后对多工序作业用改进遗传算法进行工艺优化,求出最优解和次优解,再使用评价函数法选择最佳作业路线。该方法在生产试验中取得了良好的成效.能较好满足模具用户和加盟企业两方面的需要。 相似文献
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董智勇 《电子制作.电脑维护与应用》2015,(4):136-137
C语言程序设计是一门重要的课程,却难学难教。教学方法优化十分必要。教学方法优化应从激发学生兴趣入手,采用循序渐进的方式,着重培养学生举一反三的编程能力,引导学生写出高质量的程序,并丰富考核方式。 相似文献
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Coralia Cartis Nicholas I.M. Gould Philippe L. Toint 《Optimization methods & software》2013,28(3):451-457
This short note considers and resolves the apparent contradiction between known worst-case complexity results for first- and second-order methods for solving unconstrained smooth nonconvex optimization problems and a recent note by Jarre [On Nesterov's smooth Chebyshev–Rosenbrock function, Optim. Methods Softw. (2011)] implying a very large lower bound on the number of iterations required to reach the solution's neighbourhood for a specific problem with variable dimension. 相似文献
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Anwar Jarndal 《国际射频与微波计算机辅助工程杂志》2013,23(2):149-156
An accurate equivalent circuit large‐signal model (ECLSM) for AlGaN‐GaN high electron mobility transistor (HEMT) is presented. The model is derived from a distributed small‐signal model that efficiently describes the physics of the device. A genetic neural‐network‐based model for the gate and drain currents and charges is presented along with its parameters extraction procedure. This model is embedded in the ECLSM, which is then implemented in CAD software and validated by pulsed and continuous large‐signal measurements of on‐wafer 8 × 125‐μm GaN on SiC substrate HEMT. Pulsed IV simulations show that the model can efficiently describe the bias dependency of trapping and self‐heating effects. Single‐ and two‐tone simulation results show that the model can accurately predict the output power and its harmonics and the associated intermodulation distortion (IMD) under different input‐power and bias conditions. © 2012 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2013. 相似文献
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