ispLSI1032E器件及其应用

介绍了Lattice公司的大规模集成电路ispLSI1032E,它是一种在系统复杂可编程逻辑器件(CPLD),借助于EDA设计软件可以随时更改芯片的功能,而且不需要改动印制电路板(PCB)的结构,大大提高了系统设计的效率,并保证了设计的正确性。最后设计了基于该芯片的EDA教学实验系统。     

浅述通信电源系统的防雷与接地

对雷电的发生及危害，尤其对通信电源设备的危害进行了分析，并论述了怎样对设备进行防雷保护。同时介绍了接地系统的分类、技术要求与建造方法等。     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

TOP开关电源的设计与制作

利用TOP开关器件设计了一种高精度，输出电压可调的开关电源，并介绍了制作方法。     

水文自动测报系统防雷的探讨

水文自动测报系统若配备有线／无线（GSM，GPRS）双通道，可提高系统的可靠性，保证系统的畅通。然而，有线组网方式最致命弱点是防雷能力差，针对防雷问题，在实践中探讨其有效途径，论述接地装置的设计、安装中应注意的几个问题，并介绍在实践中电话线防雷从一级防护发展到三级防护，提高防雷的效果，有待在实践中，再认识，再提高。     

微密封真空微电子二极管

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

使用一个双通道器件的声光相关器及其设计方法

介绍了一种仅使用一个双反向通道式声光器件的声光相关器，从正常布喇格衍射和反常布喇格衍射两方面，讨论了这种器件的设计方法。     

Application of SiC-Si functionally gradient material to thermoelectric energy conversion device

Because of its high–temperature chemical stability, SiC ceramic is a promising material for high-temperature device applications such as thermoelectric energy converters. However, the electrical conductivity of SiC ceramic is too low for it to be used as a thermoelectric energy converter at the cold junction. Therefore, we propose a SiC-Si functionally gradient material (FGM) in order to improve the electrical conductivity of the SiC ceramic at the cold junction. An SiC rod was fired in a temperature gradient furnace. One end of the SiC rod was maintained at 2473 K and the other end was maintained at 1973 K for 30 min. After firing, the porous SiC edge fired at 1973 K was dipped into molten Si in order to infiltrate molten Si into the porous SiC. The microstructure of the FGM is classified into three regions: the SiC-Si composite material; the porous SiC ceramic; and the densified SiC ceramic. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity for each region of SiC-Si FGM was measured at 300 K; a figure of merit was calculated. The figure of merit of the SiC-Si FGM at the cold junction, at room temperature, was 10⁸ times higher than that of a nongradient SiC ceramic.