非均质基底表面团簇生长的周期性研究

根据基底表面客观存在杂相（不同材料、或同一材料的不同晶面等）的实验事实，考虑到粒子进出不同的相界具有不同的能耗，粒子在不同相基底上扩散具有不同的能耗，建立了非均质基底上扩散能量有限的多中心成核的DLA模型，对非均质基底上团簇的生长过程进行了Monte Carlo模拟。模拟结果表明：沉积在此类基底表面的粒子凝聚成具有分形结构的团簇的数目、团簇的回旋半径、团簇的分形维数均呈现一种周期性的变化。     

利用HWCVD在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

通过热丝化学气相沉积法（Hot Wire Chemical Vapor Deposition, HWCVD），采用间歇供应硅烷气体，持续通入氢气的方式控制硅薄膜的生长，发现该方法在有机衬底上生长的薄膜结构为多晶相占主导地位。此外，研究了不同间歇周期条件下薄膜的形貌和结构，并对生长机理进行了解释和讨论。     

低温烧结Al2O3-硅酸盐玻璃系玻璃陶瓷的制备和性能研究

采用Al2O3-硅酸盐玻璃复合体系制备低温烧结玻璃陶瓷，通过TG-DTA、XRD、SEM等分析方法对样品进行表征，随着玻璃含量的增加玻璃陶瓷的烧结温度逐渐降低，在玻璃含量约为50％（质量分数）时玻璃陶瓷的热导率达到最大值2．70W/m·K，此时的玻璃陶瓷具有低的烧结温度（800℃）、高的相对密度（≥95％）、低的电容率（8～10）、低的介电损耗（1．5％～0．7％），有望成为LED封装用基板材料。     

Mechanical integrity analysis of multilayer insulator coatings on flexible steel substrates

The cohesive and adhesive properties, and related critical radius of curvature of thin multilayer insulator coatings on a 152 μm thick flexible steel substrate were investigated using tensile experiments carried out in-situ in an optical microscope. This method was found to be well adapted for the two types of coatings studied: SiO₂ single layers with different thickness and SiO₂/SiN_x/polyimide stacks. Special attention was paid to the influence of surface roughness and yielding of the steel substrate. Coating delamination and spallation was observed at low strain in case of SiO₂ coatings on unpolished steel, resulting from roughness-induced stress concentrations and slippage of grain boundaries. Polishing the steel substrate, or using a polyimide interlayer, was found to be useful to avoid premature delamination of the layers. In all investigated cases, a critical radius of curvature for layer damage of approximately 5 mm was found.     

Deposition of AlN films by reactive sputtering: Effect of radiofrequency substrate bias

Piezoelectric AlN thin films were deposited on Silicon substrates by triode reactive sputtering. The variation of residual stress versus bias voltage on the substrate was investigated. A compressive stress was always observed with a maximum value for a negative substrate bias of 50 V. For higher negative bias voltage values, the compressive stress decreases. X-ray diffraction measurements showed two kinds of growth orientation. First, without bias voltage, films are well crystallized and (002) oriented. Second, with bias voltage, the (002) orientation disappears and a small peak appears (situated in the 2θ = 32°-33° range) which can be attributed to (100) orientation. Finally, the influence of compressive stress and ion bombardment on the change of orientation is discussed.     

陶瓷金卤灯用封接材料膨胀系数的研究

为了制造性能良好的陶瓷金卤灯，保证陶瓷放电管和金属电极引线之间形成牢固的气密性封接是一个关键，和石英管不同，陶瓷管无法在加热软化后通过挤压与金属电极引线粘合在一起，为了完成放电管和电极的密封，必须采用合适的封接材料将它们封接起来，因此对陶瓷金卤灯的关键材料Al2O3-Dy2O3-SiO2系封接材料膨胀系数进行了研究。     

衬底对溶胶凝胶法制备TiO2薄膜性能的影响

以钛酸丁酯为前驱体,经浸渍拉膜法在不锈钢以及表面预镀一层非晶态SiO2薄膜的不锈钢表面镀TiO2薄膜.利用XRD、FE-SEM研究了薄膜晶体结构与表面形貌,同时研究了不同衬底上薄膜光催化活性和亲水性,并与以玻璃为衬底的作比较.结果表明,衬底对TiO2薄膜表面形貌及性能的影响很大.以不锈钢为衬底的TiO2薄膜性能光催化活性较弱,但在表面预镀一层非晶态SiO2后TiO2薄膜的光催化活性有所改善.     

电沉积技术制备钼酸钡薄膜及其特性表征

采用恒电流电沉积技术，在不同衬底（金属钼片、镀金的硅片、ITO导电玻璃）上，不同溶液酸碱性的条件下制备出了具有白钨矿结构的钼酸钡薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对制备的薄膜进行了分析表征。分析了利用电沉积方法制备的钼酸钡薄膜的成膜机制．实验结果表明：在室温环境下，利用电沉积技术，在不同材质的衬底（金属钼片、镀金的硅片和ITO导电玻璃）上，可以制备出具有白钨矿结构钼酸钡薄膜，不同材质的衬底会影响到薄膜晶粒的形状进而影响薄膜的表面形貌和致密性，用镀金的硅片（Au-Si片）作衬底时，制备的钼酸钡薄膜晶粒更加饱满，晶体生长呈四方锥形，晶界清晰。     

射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。     

迟滞非线性系统的神经网络建模

提出了一种利用神经网络对迟滞非线性系统的建模方法。网络分三层结构,隐层神经元的激励函数采用两个移位的Sigmoid函数组成的迟滞环构成,根据非线性系统的特点,给出了网络结构的确定方法。网络的学习算法采用传统的梯度下降学习算法。利用该网络对压电陶瓷迟滞特性进行了建模实验,实验结果证明了该方法的有效性。