多变量灰色模型MGM（1,n）在电磁继电器特性参数分析中的应用研究

触点电接触特性参数的变化可以反映触点电接触性能的变化,以 HH52P 电磁继电器为例进行电接触特性参数检测试验,监测了触点动态接触电阻、静态接触电阻、弹跳时间、稳定时间等特性参数,提取与触点动作次数灰色关联度大的参数建立触点电接触特性参数多变量灰色预测模型。利用试验数据分析了多变量灰色模型的预测精度,并与单变量预测模型对比。结果表明,进行灰色关联度分析之后进行建模的多变量灰色模型能够更好地描述触点电接触特性参数变化情况。     

利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件.     

磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺

针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10～40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.     

Optimization of ohmic contacts for reliable heterostructure GaAs materials

We studied silver barrier ohmic (Ni/AuGe/Ag/Au) contacts to the GaAs based HEMT structures and observed strong dependence of the cleaning procedures on the ohmic con-tact resistance (R_c), its stability and reliability. The chemical profiles of the metal con-tacts before and after alloying were measured by SIMS. Samples cleaned with the com-bined plasma O₂ and NH₄OH process exhibited excellent results:R _c ∼ 0.1–0.12 ohm-mm when alloyed in the temperature range of 440–540° C and remained stable when subjected to a 200° C and 600mA/mm stress condition for 1000 hr.     

Direct and quantitative understanding of the non-Ohmic contact resistance in organic and oxide thin-film transistors

We explore the device physics of thin film transistors (TFTs) with non-Ohmic contacts and develop a simple and fast method for evaluating the contact properties TFTs through output characteristics. Using one single output scan, the quantitative relationship between contact resistances and drain voltage were evaluated, revealing the property of interfacial injection at non-Ohmic contacts. This is demonstrated and validated in both TFT simulations and experiments employing inorganic and organic TFTs. The approach can be applied to general TFTs with arbitrary materials and configurations conveniently and enables faster and improved understanding of TFT operation and device physics.     

HNS与NQ的表面能研究

采用毛细渗透法和Washburn方程测定了六硝基芪(HNS)、硝基胍(NQ)和吸收药片在10%乙二醇、乙醇、30%乙二醇、水中的接触角,并通过Young方程及表面化学理论计算了它们的表面能及其分量.结果表明,其值与理论计算值相符合,NQ有较高的表面能为58.31 mJ·m<'-2>,其中极性分量占主要成分为54.73 ...     

微波站电源系统技术改进

通过交流接触器常闭合触点的开合,控制串联二极管的工作压降,从而实现不用人工给蓄电池组"加尾"、"去尾",能同时保证微波设备正常工作及蓄电池组浮充充电的技术要求.     

自聚焦对发散纤维光学特征的影响

本文对发散纤维透镜的光学特征进行了分析。根据稳态自聚焦理论以及ABCD定律,导出了这种透镜束宽参数、焦距以及光斑大小等公式。讨论了自聚焦的影响,得到了一些重要的结果。     

非线性锥形梯度折射率透镜的光学特征

本文对非线性锥形梯度折射率透镜进行了分析,根据稳态自聚焦理论以及ABCD定律,导出了高斯光束通过这种透镜光斑尺寸及其位置的公式。讨论了几种特殊的情况,得到了一些重要的结果。     

金属-砷化镓研究

本文评述了金属-半导体接触的各种机理以及这个接触在半导体枝术中的实际应用。