乳化钻井液条件下高温高压气井气体扩散研究

高温高压下甲烷在油里的溶解度大，水包油乳化钻井液中存在油相，钻井作业中钻井液静置期间如起下钻、工具故障抢修等时间过长，储层中的甲烷气体会扩散到井眼里。在钻高含硫化氢及二氧化碳气井时，高温高压条件下天然气更有可能到达与油完全互溶的状态。文章将储层内的水平段井眼的气体扩散区域划分为4个区，外滤饼区、内滤饼区、滤液滞留区、滤液未污染区，根据外滤饼区、内滤饼区、滤液滞留区不同计算参数条件，计算预测了在使用水包油乳化钻井液情况下，储层中天然气通过扩散穿过3个区后，进入储层内井眼段环空导致的环空含气质量浓度变化，对环空内含气质量浓度随扩散时间、含油浓度因素的变化进行了定量计算。用伽略金有限元方法求解，计算表明，气体扩散量随钻井液静置时间延长而增加，水基钻井液加入油后与不加油的钻井液相比增大了气体扩散量。     

营尔凹陷下白垩统油气勘探应避开高压水层

营尔凹陷下白垩统(K₁₎存在下沟组和赤金堡组2套源岩，目前它们已到成熟阶段。凹陷东侧长沙岭构造在下白垩统下沟组和赤金堡组储层中也发现油藏，但主要分布在高压水层的顶部及下部，而高压水层段存在良好的储层，并未发现油气。文章根据高压水层段的储层荧光特征，通过储层烃与源岩的对比，分析了下白垩统高压水层对油气运移的影响。研究结果表明：高压水层段，储层荧光弱，储层抽提物特征既不同于赤赤金堡组源岩，也不同于下构组源岩，为就近捕获的产物；高压水层未发生大规模的油气运移，其形成时间早于油气运移的时间。建议该区油气勘探目标的选择应避开高压水层，选择凹陷附近的圈闭、高压水层以下的层位。     

丝网气液分离器分离性能和压力损失分析

对丝网气液分离器的分离机理进行了详细分析,在此基础上给出了丝网气液分离器的分离效率和压降计算公式。与HG/T 21618-1998《丝网除沫器》中的公式相比,此公式可以用于任意组合的丝网结构,更具普适性,并且能定量分析各种分离机理对分离的贡献。对丝网式空气过滤器计算的结果表明,此公式具有很好的精度,可以用于工程设计。     

Cu基络合物催化甲醇液相氧化羰化反应

针对甲醇液相氧化羰基化法合成碳酸二甲酯(DMC)工艺,开发了新型Cu基络合催化剂(CuB rnLm)。对CuB rnLm催化剂的活性及其稳定性进行了研究。实验结果表明,采用该催化剂,甲醇转化率和DMC选择性较高;元素价态和物质结构分析表明,CuB rnLm催化剂循环使用5次后仍保持较好的稳定性。采用正交设计和中心响应曲面法设计实验,并使用S tatistica软件进行统计分析,寻求出反应的主要影响因素,并得到优化的工艺条件:反应温度100~110℃、反应压力3.0~3.5M Pa、反应时间4~6h、CuB rnLm催化剂质量浓度(以甲醇的体积计)0.15~0.20g/mL。在此工艺条件下,甲醇转化率可达23%以上,DMC的选择性为96%~98%。     

国产风机盘管空调系统常见问题分析

分析了国产风机盘管使用中常见的问题,指出机组因风量不足、冷量风量匹配不合理以及风机盘管某些设备故障,导致了风机盘管精度低、舒适性差、能耗高等一系列问题。指出应引起空调设计和运行维护人员的注意。     

流变仪在覆铜板工序中的应用

本文简要叙述利用流变仪对覆铜箔层压板生产工序中的胶液和半固化片参数进行控制,从而更好地保证胶液和 半固化片性状的一致性,以有利于控制板材流胶和品质。     

试油井产量折算新方法

为了使试油折算产量的条件尽可能的相同,增强试油产量的可比性,消除地面计量的人为误差,研究了试油求产时井底流压的变化规律,认为采用油柱在油管内上升的流压变化速率来折算产量更趋于合理,并能最大限度地接近地层真实产量.该方法从根本上消除了因试油周期选定不合理、地面计量误差,以及试油工艺不同、储层条件差异带来的试油产量误差.     

钻井井喷失控井喷流出口速度预测方法研究

失控井喷流出口速度、喷口内压力、喷层产量都是井喷失控处理方案设计、作业施工中重要的基础数据。由于井喷失控井井口环境条件复杂，井喷失控后无法在井口安装测量仪表及在高速喷流中放入参照物，不能直接获取以上数据。文章利用地质、钻井过程获得的地层物性参数和气体动力学方程，探讨井喷失控井天然气喷流在不同井筒流动尺寸及组合的喷流速度预测模型，可应用薄剪切模型或RNG修正的k-ε模型定量描述速度场、温度场、浓度场颁。为井喷失控井处理方案设计、施工作业提供基础数据。     

不锈钢管道坡口加工的新方法

对于不锈钢管及合金钢管坡口的加工,采用以往的加工方法切割出来的坡口一般参差不平、比较粗糙,难于打磨平整。使用LGK空气等离子切割机和磁力管道切割机的组合加上一定的辅助手段,改善了不锈钢管及合金钢管的坡口加工效果,使加工出来的坡口像碳钢管一样平整,更加容易打磨组焊。文章介绍了这一新方法所用的设备、材料、切割原理以及操作过程。     

Improving narrow bandgap a-SiGe:H alloys grown by hot-wire chemical vapor deposition

We have improved the electronic properties of narrow-bandgap (Tauc gap below 1.5 eV) amorphous-silicon germanium alloys (a-SiGe:H) grown by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) by lowering the substrate temperature and deposition rate. Prior to this work, we were unable to grow a-SiGe:H alloys with bandgaps below 1.5 eV that had photo-to-dark conductivity ratios comparable with our plasma-enhanced CVD (PECVD) grown materials [B.P. Nelson et al., Mater. Res. Soc. Symp. 507 (1998) 447]. Decreasing the filament diameter from our standard configuration of 0.5 mm to 0.38 or 0.25 mm provides first big improvements in the photoresponse of these alloys. Lowering the substrate temperature from our previous optimal temperatures (T_sub starting at 435 °C) to at 250 °C provides additional photo-to-dark conductivity ratio increasing by two orders of magnitude for growth conditions containing 20–30% GeH₄ in the gas phase (relative to the total GeH₄+SiH₄ flow).