三角网格间断有限元法弹性波模拟精度分析

精度分析是地震波数值模拟的基础.针对基于三角形网格的间断Galerkin有限元方法(DGFEM)的稳定性、数值频散及耗散问题,构建了周期性三角形单元网格,可以更灵活地分析不同形态的三角形单元对模拟精度的影响.理论和数值实验的分析结果表明:三角形网格中基于Runge-Kutta时间格式的DGFEM的稳定性条件与三角形的形...     

一种改进的基于包对模型的有效带宽测量方法

本文通过分析数据包对的分离时间与背景流量之间的关系,提出了一种改进的基于包对模型测量端到端路径有效带宽的方法(ABwPP),可以直接测量路径的有效带宽而不需已知瓶颈带宽。NS-2上的模拟实验结果表明,该方法是准确有效的。     

基于敏感度因子与故障隔离度的模拟电路测点选择

提出了一种基于类内类间敏感度因子与故障隔离度的新方法对模拟电路测试节点进行优选.计算电路各测点采样数据的类内与类间距离离散度来定义测点敏感度因子,根据敏感度因子大小对待优选测点进行重新排序,利用KNN网络计算重排序测试节点的故障隔离组(度),最后优选出能辨识全部预设故障的最优测试节点集.实验结果证明:新方法得出的最优测点集包含的测点数量更少,该方法可以优选出相比其他文献方法故障诊断效率更高的同等规模的测试节点集合.     

一种闭环控制的光纤光栅动态色散补偿仪

利用啁啾光纤光栅的应变调谐特性，将色散补偿的啁啾光纤光栅斜贴于悬臂梁的侧面，通过应力实现啁啾量调整而改变其色散补偿量的大小，同时利用固定在同一悬臂梁的均匀布拉格光栅传感器，实现了闭环自动控制色散补偿量，研制出了一种新型的光纤光栅动态色散补偿仪。该色散补偿仪工作在1550nm波段，典型性能数据为：色散动态补偿范围-1000-1680ps／nm，插入损耗小于1．5dB，动态调谐步进响应时间小于50ms，基本上能满足10Gb／s光纤通信系统中色散动态补偿的要求。     

高速通信系统用新型光纤设计

用有限元法模拟了光纤结构参数与传输性能间的关系。设计了几种用于高速通信系统的新型光纤 ,如高非线性色散位移光纤、宽带色散补偿光纤和色散平坦型大有效面积非零色散位移光纤     

介质周期结构色散特性的严格分析：一种三维边值问题的求解方法

本文以耦合模理论和Ｆｌｏｑｕｅｔ理论为基础，把本征模展开与空间谐波展开巧妙地结合起来，严格分析了斜入射情况下介质周期结构的色散特性－三维边值问题。这种新方法既避免了通常耦合模方法分析此类问题所引入的微扰近似，又比Ｆｌｏｑｕｅｔ方法简单方便。通过对斜入射情况下一些介质结构滤波特性的数值分析，证实了本文方法的有效性，精确性和实用性。     

A Neural Network Method for Traffic Dispersion

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｒａｆｉｃｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ［１］，ｗｈｉｃｈｍｅａｎｓｔｈｅｔｒａｆｉｃｉｓｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｏｖｅｒｍｕｌｔｉｐｌｅｐａｔｈｓａｎｄｔｒａｎｓｍｉｔｅｄｉｎｐａｒａｌｅｌ，ｉｓｕｓｅｄｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｎｅ...     

负色散镜的设计、制备及在掺钛蓝宝石激光谐振腔内的使用

根据钛宝石激光器的要求设计了性能优良的两种负色散镜(NDM1和NDM2)。NDM1同时引入啁啾效应和G-T效应产生大的群延迟色散量以减少光在负色散镜上的反射次数。NDM2仅引入G-T效应产生较小的群延迟色散以补偿腔内自相位调制带来的部分啁啾。选用离子束溅射法制备了这两种负色散镜。用分光光度计测试了它们的透射率。结果表明,所制备的负色散镜的性能与设计性能非常接近。使用这两种负色散镜进行掺钛蓝宝石激光谐振腔内色散补偿实现了飞秒脉冲锁模,获得了15 fs的超短脉冲。     

Post-process thermal treatment for microwave power improvement of AlGaN/GaN HEMTs

The effects of post-process rapid thermal annealing (RTA) treatment after device fabrication on direct current, microwave and power performances of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with a gate-length of 0.2 μm were fully investigated. By 3 min post-process RTA treatment at 350 °C under N₂ atmosphere, the direct current (DC), radio frequency (RF) small signal and power performances of AlGaN/GaN HEMTs have been much improved. The output power, power gain and power added efficiency (PAE) of GaN HEMT device with gate wide of 1 mm increase from 37.09 dBm, 6.09 dB and 42.79% to 38.22 dBm, 7.22 dB and 67.3%. The post-process RTA after device fabrication has two merits. On the one hand, it improves passivation effect of SiN_x dielectric layer on AlGaN/GaN HEMT surface, suppressing RF current dispersion. On the other hand, it helps recover dry-etch damage at the Schottky metal/AlGaN interface, leading to reduction of reverse Schottky leakage current.     

色散补偿技术在通信传输系统中的应用

本文介绍了色散补偿现象对光信号在传输过程中的影响,并结合中国网通长途传输网工程,提出了解决色散问题的具体措施及建议.