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31.
许晖  安源  金光  马梦林 《半导体光电》2006,27(5):611-613,627
分析了光电平台的工作环境和角振动对成像质量的影响,应用空间机构学原理和减振理论,设计了一种既具减振功能又能抑制角位移的无角位移减振机构。对减振机构的减振机理及运动特性进行了分析,并利用三维建模软件和MSC.Visual Nastran 4D仿真分析软件对该减振机构进行了三雏实体仿真分析,通过输出的仿真数据及曲线检验无角位移减振原理的正确性。  相似文献   
32.
电子产品研制阶段可靠性增长试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
结合工程实际经验,深入讨论了可靠性增长过程及实现途径,在保持试验条件和改进过程不变的条件下,实施了对具体型号电子产品的可靠性增长试验,达到了预期的可靠性增长目标,并且利用可靠性增长试验的数学模型(AMSAA模型)来评估产品的可靠性增长,对开展可靠性增长与可靠性增长试验工作具有重要的实际意义.  相似文献   
33.
可信计算与可信网络   总被引:3,自引:0,他引:3  
论文对主流的可信计算技术——TCPA和NGSCB进行了分析,并对可信计算平台(TCP)进行了研究,对基于可信计算的可信网络的三个基本属性进行了分析和研究,最后介绍了可信网络的发展现状。  相似文献   
34.
Effect of doping of carbon nanotubes by magnetic transition metal atoms has been considered in this paper. In the case of semiconducting tubes, it was found that the system has zero magnetization, whereas in metallic tubes the valence electrons of the tube screen the magnetization of the dopants: the coupling to the tube is usually antiferromagnetic (except for Cr).  相似文献   
35.
聚硅烷的电子特性及非线性光学材料   总被引:3,自引:0,他引:3  
雷艳秋  黄世强 《弹性体》2003,13(4):50-54
综述了聚硅烷的电子结构、光吸收特性。重点介绍了聚硅烷在非线性光学材料中的研究与应用。  相似文献   
36.
多功能杀菌剂的合成及其性能研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
在现有季铵盐类杀菌灭藻剂上增加一个脂键,连接一个有机酸基团,合成一种兼具阻垢缓蚀功能的新型工业水处理用杀菌灭藻剂(多功能杀菌剂),经一系列评价实验表明:新型杀菌剂是较理想的杀菌剂,在较低浓度下,对硫酸盐还原菌(SRB)及腐生菌(TGB)均有很好的杀灭效果,优于1227杀菌剂,同时还具有较好的缓蚀阻垢效果。  相似文献   
37.
电力电子技术应用日益广泛,同时也带来严重的谐波污染和电磁干扰。本文介绍了电力电子在电磁兼容和谐波抑制方面的绿色变换技术。同时还就绿色电源产业的形成和绿色电源产品要求作了简要说明。  相似文献   
38.
一种基于PWM的电压输出DAC电路设计   总被引:16,自引:1,他引:15  
秦健 《现代电子技术》2004,27(14):81-83
对实际应用中的脉宽调制(PWM)波形的频谱进行了理论分析.指出通过一个低通滤波器可以把PWM调制的数模转换信号解调出来.实现从PWM到DAC的转换。论文还对转换误差产生的因素进行了分析,指出了减少误差的方法,论文给出了两种从PWM到0~5V电压输出的电路实现方法,第2种电路具有很高的转换精度。  相似文献   
39.
信号的小波尺度-频率表示及其在机械故障诊断中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于对信号的连续小波变换特点的分析,提出信号特征的小波尺度一频率表示方法。该方法对污染的脉冲信号和正弦信号的应用结果表明该方法能有效提取强噪声背景下的周期成分。以变速器齿轮的故障诊断为例,用该方法对变速箱齿轮振动信号的尺度-频率表示进行分析,结果表明该方法能非常有效地将不同磨损状况的齿轮振动信号的特征表现出来。  相似文献   
40.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。  相似文献   
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