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991.
用于白癜风治疗的308nm XeCl准分子激光系统 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了一台用于白癜风治疗的308nm XeCl准分子激光系统。根据准分子激光器脉冲式放电的特点,设计了推挽式脉冲开关电源。实验研究了激光器脉冲重复频率、工作电压、气体寿命对激光输出能量的影响,并检测了激光输出脉冲能量的稳定性。通过自动反馈控制系统调整激光头放电工作电压实现输出激光能量的稳定。激光采用扩展型紫外液芯光纤传导,得到均匀性良好的治疗光斑,液芯光纤对308nm激光的传输效率约为70%。激光器脉冲重复频率1~200Hz,工作电压18~25kV,输出能量不稳定度小于4%。经光纤输出用于治疗的有效光斑直径22mm,脉冲能量密度2~3mJ/cm2。 相似文献
992.
993.
994.
激光多普勒测速系统可实现空中运动平台的速度测量,平台的姿态测量误差是影响其测速精度的重要因素。为实现运动平台三维速度的测量,以相干探测原理为基础,设计并搭建了全光纤三光束激光多普勒测速系统,建立了运动平台三维速度测量的数学物理模型,对系统测速相对误差进行了数值模拟研究。研究结果表明,姿态测量误差对测速精度的影响不可忽略;随着俯仰角度的不同,俯仰误差与旋转误差对测速精度的影响程度会发生变化;测速精度与旋转误差呈线性关系,而与俯仰误差存在着非线性关系。研究结果可为激光多普勒测速系统的设计以及速度修正提供理论依据。 相似文献
995.
996.
通过使用印刷电路板预电离小TEACO2激光器,研究了预电离过程中两种照射模式-照射阳极模式和照射阴极模式下,激光器注入能量和输出能量的关系,实验得出,在印刷电路板预电离小TEACO2激光器中,两种照射模式的注入与输出曲线基本吻合,而照射阳极模式下印刷电路板预电离小TEACO2激光器更具有潜力。 相似文献
997.
998.
Yong Sub Shim Ju Hyun Hwang Hyun Jun Lee Kyung Bok Choi Kyu Nyun Kim Cheol Hwee Park Sun‐Gyu Jung Young Wook Park Byeong‐Kwon Ju 《Advanced functional materials》2014,24(41):6414-6421
In this study, organic light‐emitting diodes (OLEDs) with enhanced optical properties are fabricated by inserting a nanosized stripe auxiliary electrode layer (nSAEL) between the substrate and an indium tin oxide (ITO) layer. This design can avoid the shortcomings of conventional microsized layers while maintaining high optical uniformity due to the improved conductivity of the electrode. The primary advantage is that the nSAEL (submicrometer scale) is no longer visible to the naked eye. Moreover, the reflective shuttered (grating) structure of the nSAEL increases the forward‐directed light by the microcavity (MC) effect and minimizes the loss of light by the extracting the surface plasmon polariton (SPP) mode. In this study, the degree of the MC and SPP can be controlled with the parameters of the nSAEL by simply conjugating the conditions of laser interference lithography (LIL). Therefore, the current and power efficiencies of the device with an nSAEL with optimized parameters are 1.17 and 1.23 times higher than the reference device at 1000 cd/m2, respectively, and at these parameters, the overall sheet resistance is reduced to less than half (48%). All of the processes are verified by comparing the computational simulation results and the experimental results obtained with the actual fabricated device. 相似文献
999.
Pn junctions based on single crystalline tellurium supersaturated silicon were formed by ion implantation followed by pulsed laser melting(PLM).P type silicon wafers were implanted with 245 keV 126Te+ to a dose of 2×1015 ions/cm2,after a PLM process(248 nm,laser fluence of 0.30 and 0.35 J/cm2,1-5 pulses,duration 30 ns),an n+ type single crystalline tellurium supersaturated silicon layer with high carrier density(highest concentration 4.10×1019 cm-3,three orders of magnitude larger than the solid solution limit) was formed,it shows high broadband optical absorption from 400 to 2500 nm.Current-voltage measurements were performed on these diodes under dark and one standard sun(AM 1.5),and good rectification characteristics were observed.For present results,the samples with 4-5 pulses PLM are best. 相似文献
1000.
为了提高高能激光能量测量的精确度,减小不准确度,给出了一种吸收腔结构,对基于量热法的吸收腔的内、外壁温度差特性进行了理论研究和实验验证。用一维非线性傅里叶热传导方程分别建立了吸收腔在激光加热过程中和加热结束后的温度分布。利用模拟实验对激光照射吸收腔的过程进行模拟,得到内、外壁温度差的实验数据。利用ANSYS软件,根据激光加热的原理,建立了仿真模型,并用模型对理论分析结果作数值仿真。理论分析结果与实验数据非常接近。在激光照射过程中,虽然吸收腔内、外壁存在渐趋固定的温度差,但当照射结束后,该温差迅速减小,吸收腔到达平衡。 相似文献