并联机构激光加工系统创新设计

提出了一种新型的两自由度并联平动机构 ,并将其成功的应用到YAG激光加工平台当中。介绍了激光加工平台的组成及控制系统组成 ,同时还分析计算了该并联实验平台的自由度 ,推导建立了该机构的位置正、反解和速度解方程 ,给出了机构的工作空间分析及其雅可比矩阵 ,为激光加工平台提供了设计和控制的理论依据。经技术实施表明该新型加工平台具有结构简单、控制容易、作业空间大及可实现两维任意图形的加工等特点     

HDI精细线路制作工艺的探讨

随着HDI制作工艺的飞速发展,不同品种类型HDI的制作决定着其本身所选用的积层方式和线路制作工艺。本文通过对各种HDI线路制作工艺的对比分析,探讨了目前国内各HDI生产厂家普遍采用的线路制作工艺与品质特性及其未来发展趋势。     

网络化制造中嵌入式Linux操作系统的开发

针对Linux与信息交互装置系统软件需求的差异,开发了用于网络化制造的嵌入式Linux操作系统.采用主机 目标系统的交叉开发模式,主机用PC RedHat7.0,目标系统用信息终端样机 HardHat Linux,编译器用MIPS交叉编译器.先配置内核、裁减标准C库、优化linux,用busybox裁剪Root文件系统, 设计图形用户界面.     

Structural and optical properties of AIN sputtering deposited on sapphire substrates with various orientations

AIN thin films were deposited on c-,a-and r-plane sapphire substrates by the magnetron sputtering technique.The in-fluence of high-temperature thermal annealing (HTTA) on the structural,optical properties as well as surface stoichiometry were comprehensively investigated.The significant narrowing of the (0002) diffraction peak to as low as 68 arcsec of AIN after HTTA implies a reduction of tilt component inside the AIN thin films,and consequently much-reduced dislocation densities.This is also supported by the appearance of E2(high) Raman peak and better Al-N stoichiometry after HTTA.Furthermore,the in-creased absorption edge after HTTA suggests a reduction of point defects acting as the absorption centers.It is concluded that HTTA is a universal post-treatment technique in improving the crystalline quality of sputtered AIN regardless of sapphire orienta-tion.     

半导体制造中清洗技术的新动向

多年来习惯采用多槽浸渍式RCA清洗的半导体清洗领域里,正在兴起的是从多槽浸渍式向单片式处理转移。并出现了取代RCA法的新型清洗液与新的生产方法。正在开始对超临界流体清洗等下一代清洗技术的开发。概述这些半导体清洗技术的最新动向。     

积层板的制造方法

概述了积层板的开发背景、制造工艺和最近的开发动向。     

用于工艺流程自动生成的排序算法

文章介绍了一种工艺流程的自动排序算法。该算法将器件的结构作为输入信息,利用工艺库,得到可制造出该器件的工艺路线。该算法可应用于VLI制造的工艺流程卡自动生成。     

数据挖掘在芯片生产过程数据分析中的应用

介绍了如何使用基于粗糙集理论数据挖掘技术,对生产线的生产率和成品率进行快速的预测.在出现产量突然降低时,使用统计分析方法迅速找到使其降低的主要原因,然后就可对其采取有效的措施,从而满足高产量的要求.     

一种高端芯片厂洁净室设计提案构想介绍

从高端芯片厂工艺需求与污染控制的角度出发,检视目前芯片厂洁净室的设计概念后,提出另外一种洁净室设计的提案构想,以为业界参考。