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11.
透明介质材料具有高透光性、高耐热性和良好的耐腐蚀性,被广泛应用于航空航天、微电子器件和光学元件等领域,这些应用对透明介质材料微纳加工的精度与质量提出了一定的要求。超快激光具有超高的峰值强度与超短的脉冲持续时间,可突破衍射极限并极小化热影响区,具有出色的加工精度与加工质量,为透明介质材料的微纳尺度加工提供了多样化的手段。综述了透明介质材料的超快激光微纳加工研究进展,包括超快激光加工透明介质材料的内部结构、相关机理和应用领域三个方面,并对透明介质材料的超快激光微纳加工进行了总结与展望。 相似文献
12.
清洁的水资源对人类社会生产发展至关重要,溢油事故和工业含油废水的排放等对水资源造成严重威胁,因此油水分离技术备受关注。传统的油水分离方法如生物处理、吸附、离心、气体浮选和原位燃烧等,存在程序复杂、能耗高、分离效率低等缺点,亟需开发更加环保高效的新方法。仿生材料的设计与制备是多功能材料的重要研究方向。受荷叶结构与功能启发,基于润湿性能调控的先进多孔材料的设计与开发已成为当前研究的热点之一,并在油水分离领域中展现出巨大的应用潜力。通过调控多孔材料的表面结构和化学状态,可实现对水相和油相的不同分离特性,进而选择性去除或者吸附水相或油相,甚至包括极其稳定的油包水或水包油乳液的分离。全面综述了多孔材料的制备方法,以及其在油水分离领域的最新研究与应用。重点介绍了疏水或超疏水/超亲油的多孔海绵、多孔棉织物、多孔木材、多孔泡沫、多孔气凝胶和多孔陶瓷等先进油水分离材料的制备方法和研究进展,旨在对功能性多孔材料的发展进行回顾和深入探讨,为多孔材料在油水分离方面的研究提供指导。总结了目前多孔材料研究存在的一些问题,探讨了该领域面临的挑战,并对其应用发展趋势进行了展望。 相似文献
13.
喷墨打印技术是以墨滴为基础,集喷射工艺、离散堆积数控制造及计算机辅助设计于一体的先进精细微加工制造技术,是微机电系统(MEMS)火工品等微结构含能器件的重要装药途径之一。在喷墨打印过程中,如何实现墨滴的精确控制是提高材料可打印性和打印精度的关键。本文在系统调研喷墨打印成型机理研究的基础上,探讨了墨水的物理特性、打印工艺参数对墨滴形成方面的影响规律,梳理了“咖啡环”效应出现的原因及控制方法,归纳了喷墨打印过程中墨滴成形和沉积的控制策略,与此同时,综述了喷墨打印技术在传爆药、纳米铝热剂等方面的应用情况,展望了喷墨打印技术下一步在含能领域应用的发展方向。喷墨打印技术的按需滴加、皮升级沉积为微纳米结构含能药剂的精确装药提供了前提,在MEMS火工品、异形含能器件方面具有较好的应用前景。 相似文献
14.
15.
为揭示VXOY薄膜场致相变规律,推广钒氧化物应用于卫星控制系统,指导氧化钒规模制备,将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下的生成的薄膜进行了XRD表征。测得了电场激励下VXOY薄膜的相变现象,验证了电场激励下焦耳热并非薄膜相变的主导因素;总结了不同组分下VXOY薄膜的相变规律,研究了不同V6O13含量对VO2薄膜临界相变电压的影响规律,可指导VXOY薄膜应用于微纳卫星等极端环境下的设备控制系统。 相似文献
16.
17.
18.
19.
目的 研究微米结构中心距对微纳二级结构超疏水硅表面热交换效率的影响。方法 首先采用湿法腐蚀在硅表面构建中心距分别为22、24、26、28、30 μm的微米四棱台结构,然后采用溶胶-凝胶法在表面涂覆疏水的纳米二氧化硅颗粒,获得微纳二级结构超疏水表面。通过表面接触角测量仪分析表面的湿润性,通过扫描电镜观察表面的微观形貌特征,使用光学显微镜观察冷凝小液滴自迁移现象,使用电子天平称量表面的冷凝集水质量。结果 当纳米结构相同时,随着微米结构中心距的增加,液滴静态接触角减小,冷凝小液滴的自迁移频率变慢,相同时间段内,平均集水效率下降。当相对湿度大于90%时,会出现表面“淹没”现象。微纳二级结构超疏水硅表面(微米结构间距22 μm)的集水效率是单独微米结构硅表面的1.38倍、单独纳米结构疏水表面的1.27倍、疏水硅光片表面的1.75倍、光二氧化硅亲水表面的3.6倍。结论 当纳米结构相同时,在一定范围内适当减小微米结构的中心距,有助于增强微纳二级结构超疏水硅表面热交换效率。 相似文献
20.
随着半导体产业的发展和器件性能的不断提升,半导体器件的特征尺寸越来越小,器件结构越来越复杂,对检测仪器的性能提出了更高的要求。首先介绍过焦扫描光学显微法(Through-focus Scanning Optical Microscope,TSOM)的测量装置及测量原理,该方法可实现三维几何参数的无损测量,因其具有精度高、速度快、成本低等优点,可以满足在线测量的需求;然后从TSOM图构建和待测参数提取两个方面对TSOM方法的研究进展进行了梳理和归纳;最后对TSOM方法未来的研究重点和发展方向进行了展望。该方法有望为我国半导体制造产业提供新的检测手段,为优化和提升我国半导体制造工艺提供重要的技术支撑。 相似文献