PWM整流电路的原理分析

无论是不控整流电路,还是相控整流电路,功率因数低都是难以克服的缺点.PWM整流电路是采用PWM控制方式和全控型器件组成的整流电路,本文以《电力电子技术》教材为基础,详细分析了单相电压型桥式PWM整流电路的工作原理和四种工作模式.通过对PWM整流电路进行控制,选择适当的工作模式和工作时间间隔,交流侧的电流可以按规定目标变化,使得能量在交流侧和直流侧实现双向流动,且交流侧电流非常接近正弦波,和交流侧电压同相位,可使变流装置获得较高的功率因数.     

基于相机投影模型的航拍图像几何校正

通过分析相机透视投影中的共线方程,结合相机内定向的原理,推导出了对于同一地物在不同航片上的图像坐标变换关系,应用该数学模型实现了航拍图像的几何校正,并且与二次多项式模型和双线性模型进行了比较,通过对实验结果的比较,显示出该方法在航拍图像几何校正中的优良特性。     

复杂背景下立体图像的预处理和数据净化

面向具有复杂背景的立体图像分析，针对其中的图像预处理和数据净化问题进行研究，提出了一套用于提取图像中目标区域的算法。实验结果证明，该算法能快速、有效地消除立体图像中的无用背景信息，降低图像数据的冗余，对提高后续分析的速度及结果精度有帮助。     

太赫兹辐射产生技术进展

分别就光学技术和电子学技术产生太赫兹波的方法,介绍其产生原理、研发现状和最新进展,重点介绍了光电导、光整流、参量振荡器和太赫兹量子级联激光器.     

Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell

Boron-doped hydrogenated silicon films with different gaseous doping ratios (B2H6/SiH4) were deposited in a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. The microstructure of the films was investigated by atomic force microscopy (AFM) and Raman scattering spectroscopy. The electrical properties of the films were characterized by their room temperature electrical conductivity (σ) and the activation energy (Ea). The results show that with an increasing gaseous doping ratio, the silicon films transfer from a microcrystalline to an amorphous phase, and corresponding changes in the electrical properties were observed. The thin boron-doped silicon layers were fabricated as recombination layers in tunnel junctions. The measurements of the Ⅰ-Ⅴ characteristics and the transparency spectra of the junctions indicate that the best gaseous doping ratio of the recombination layer is 0.04, and the film deposited under that condition is amorphous silicon with a small amount of crystallites embedded in it. The junction with such a recombination layer has a small resistance, a nearly ohmic contact, and a negligible optical absorption.     

溶媒回收塔的自动化控制

阐述精馏工艺的控制要求及影响操作的因素。从产品质量,物料平衡,能量平衡。约束条件四方面控制角度出发,用于回收过程控制的应用,从而达到提高产品质量的目的。     

化工过程数据校正方法的探讨

简要地介绍了数据校正中的基本概念;然后从数据协调、显著误差检测、数据校正三个方面较系统地、全面地总结了数据校正方法的研究进展和成就;最后探讨了这一领域中值得进一步研究的问题和可能的发展方向。     

基于71M6511芯片的电能表射频辐射抗扰度试验整改

为解决电能表射频辐射抗扰度试验难以通过的问题,在对一款基于71M6511芯片的单相多功能电子式电能表进行试验,诊断分析并整改成功的基础上,总结提出一些针对性的解决方案,对于拓展电能表企业生产和设计思路,提高电能表产品质量,增强电能表运行的可靠性,具有重要的现实意义。     

一种同步整流有源箝位正激变换器的研究

提出一种同步整流有源箝位正激变换器。该变换器是在传统的同步整流有源箝位正激变换器的原边增加一个由箝位电容和电感构成的辅助网络得到。该辅助网络可以使变换器在全负载范围内更容易实现主开关管和辅助开关管的ZVS(Zero-Voltage Switching),副边采用自激式同步整流技术,能进一步提升变换器效率,适用于低压、大电流输出场合。详细分析了变换器的工作原理,搭建了一台8 V/100 W试验样机证明了理论分析的正确性。     

同步整流技术的研究

介绍了同步整流技术的基本原理,结合具体电路,对栅极电荷保持技术在有源箝位正激变换器中的应用作了分析;阐述了同步整流芯片IR1176在正激变换器中的应用。