大型预焙铝电解槽使用碳化硅砖与普通碳砖复合块的探讨

碳化硅砖和碳化硅砖与普通碳砖复合侧块，在上世纪末期我国铝电解槽上开始推广应用。使用后各厂家普遍发现碳化硅砖及碳化硅砖与普通碳块复合侧块均出现不同程度的断裂、上抬和脱落现象，该文对断裂、上抬和脱落原因进行了分析，并提出了改进措施。     

平巷掘进工作面圆形掏槽法

通过对平巷掘进的炮眼排列和雷管起爆段数及顺序的优化组合 ,起爆机理的分析总结 ,得出了一种新的、高效的掏槽方式———圆形掏槽     

Electromagnetic Resistive Drift Instability in Current Carrying Low Temperature Tokamak Edges

It is shown that the purely growing electrostatic rippling mode can couple with the shear Alfven wave to give rise to an oscillatory electromagnetic instability in tokamak edge regions. This mechanism can be one of the causes of electromagnetic fluctuations observed near plasma edges. This instability can occur only in the very low temperature regions where resistivity fluctuations can become important due to large electron-ion collision frequency.     

Oxidation behavior of silicide coating on Ti3SiC2-based ceramic

A silicide coating was prepared on Ti₃SiC₂-based ceramic by pack cementation to improve the oxidation resistance of Ti₃SiC₂, which is a technologically important material for high temperature applications. The microstructure, phase composition and oxidation resistance of the coated sample were investigated. The results demonstrated that the silicide coating was mainly composed of TiSi₂ and SiC. A single layer of a mixture of SiO₂ and TiO₂ was formed on the surface of the coated sample during isothermal oxidation at 1100 °C and 1200 °C for 20h. Compared to Ti₃SiC₂, the parabolic rate constant of silicide coated Ti₃SiC₂ decreased by 2~3 orders of magnitude. Furthermore, the coated sample showed much better cyclic oxidation resistance than Ti₃SiC₂ during the cyclic oxidation at 1100 °C for 400 times. However, during the preparation of the coating, a number of fine cracks formed in the outer layer of the coating. When these cracks penetrated the whole coating during the cyclic oxidation, the oxidation rate was accelerated, which degraded the oxidation resistance. Electronic Publication     

应用ITO膜作电荷收集极的位置灵敏探测器

首次尝试将ITO（Indium Tin Oxide）膜与微通道板（Microchannel Plate）结合用作位置灵敏探测器，并对该探测器的线性、位置分辨及探测效率作了测试，得到了令人满意的结果。     

铑自给能中子探测器的灵敏度

本文给出了铑自给能探测器的热中子灵敏度和中子灵敏度的理论计算公式、燃耗修正公式以及不同中子温度下的换算公式。运用这些公式对ZTRh 123型铑自给能探测器的热中子灵敏度和中子灵敏度进行了理论计算,并在反应堆中对其进行了实验验证。其结果表明,理论计算值和实验标定值是相吻合的。其偏差:热中子灵敏度为8.5％,中子灵敏度为3.9％。     

等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析     

双正交小波在陀螺信号去噪中的应用

本文在用双正交小波对陀螺信号进行不同尺度分解的基础上,结合传统的信号分析方法,得出小波系数是由噪声产生的,从而提出合适的小波去噪方法。本方法在应用中得到较好的去噪效果。     

超导体核辐射探测器的探测原理

一、引言对于某些核辐射探测器,降低它们的工作温度便可得到较好的探测器性能,例如硅和锗探测器,当工作温度为77K时,能量分辨可提高很多。一些金属和它们的氧化物在极低温度下成为超导体,利用这种超导现象有可能得到性能极好的探测器,也有可能比现在已实用的半导体(?)测器的能量分辨要提高一个量级。高分辨测量有可能在许多领域内得到应用。关于在极低温度下((?)IK)对超导体核辐射探测器已有一些评论,这里仅介绍超导体核辐射探测器的探测原理。     

高压热处理对氧沉淀低温形核的影响

研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成.电学性能测试表明,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系.