聚合物分散液晶(PMMA:5CB:C60)光折变特性的实验研究

用溶致相分离方法制备了3种不同组分的聚合物分散液晶薄膜(PMMA：5CB：C60)，C60作为敏化剂。利用二波耦合实验测量了不同样品的衍射效率和响应时间等光折变特性，实验发现，液晶含量不同的薄膜光学性质有很大的不同。     

结温在线控制系统的IGBT功率模块热耦合模型

应用有限元法，对IGBT功率模块的三维热分布进行了仿真研究，得到了器件的稳态热阻及瞬态热阻抗。研究了功率模块各芯片之间的相互热影响，提出了热耦合效应热模型的统一结构，基于对瞬态热阻抗曲线的拟合，得到热模型的相关参数，从而建立了热耦合效应热模型。以一个降压变换器为例，阐述了结温在线控制系统的工作原理，并将热模型应用于该系统中，计算结果与测量结果非常一致。     

计算机系统的抗干扰技术

简要地分析干扰的来源及耦合的途径 ,然后从实用的角度出发 ,着重介绍对干扰的抑制措施 ,对于一般的微机控制装置、数据采集和处理系统、仪表及工业控制机都有普遍的意义。     

塑料光纤耦合器的分析和研制

研究了一种新型的塑料光纤耦合器件.采用超声波熔接法制作塑料光纤耦合器,制作过程方便可行.分析了这种耦合器的长度和压缩厚度的变化对耦合比的影响,实验测试结果和计算机模拟分析基本一致.提出了降低工艺过程中的附加损耗的措施,实际制得的塑料光纤耦合器的耦合比和附加损耗能满足短距离通信上的使用要求.     

垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差分析

采用FRESNEL光学软件和MATLAB编程,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差对耦合效率的影响.发现在芯片横向偏移、芯片倾斜和管帽倾斜这三种操作误差中,管帽倾斜对封装组件的耦合效率影响最大.     

小型化Ku波段带通滤波器的设计

介绍了一种Ku频段带通滤波器的设计方法,采用电磁仿真软件和Matlab软件给出了滤波器的物理结构和仿真结果,同时给出一个滤波器的设计实例和测试结果。利用制作简单的圆棒内导体结构,采用梳状线与同轴腔相结合的方式,实现窄带带通滤波器,达到结构紧凑,性能优良的特点。设计实例证明了方法的有效性。     

纳米级铝包覆光波导耦合特性研究

为了研究10nm级铝包覆光波导特征参量对其耦合情况的影响,理论模拟了不同金属层折射率和厚度、不同导波层折射率和厚度情况下的衰减全反射谱,分析了特征参量对耦合情况的影响。通过实验验证了金属层折射率和厚度对其耦合情况的影响,发现纳米级铝膜的复介电常数发生了很大的变化。结果表明,导波层厚度影响激发导模的数目,但对耦合深度影响不大;导波层折射率同时影响激发导模的数目和耦合深度;耦合层金属膜厚度不影响激发导模的模数,但对耦合深度的影响很大;对于相同的耦合层金属膜厚度,金属折射率不同,耦合情况大不相同。研究结果为基于双面金属包覆光波导的脉冲展宽器的制作和设计过程提供了参考。     

InGaAs光纤探测器封装及耦合效率影响因素研究

设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构,测试了芯片耦合前后的性能变化,并分析了影响耦合效率的因素。结果表明,石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合。在0．9-1．7um波段,当采用与芯片尺径相当的100um光纤进行无透镜直接耦合时,耦合效率可达30％以上;当采用芯径为500岫的光纤耦合时,耦合效率可达55％以上。多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布。随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加,高斯分布曲线的半宽值增大,光束逐渐发散。芯片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大,其中对横向偏移量的依赖性最强。     

Study of waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers

This paper presents a new method to increase the waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers. We find that the propagation constant of the InGaAsP emitting layer can be equal to that of the Si resonant layer through improving the design size of the InP waveguide. The coupling power achieves 42% of the total power in the hybrid lasers when the thickness of the bonding layer is 100 nm. Our result is very close to 50% of the total power reported by Intel when the thickness of the thin bonding layer is less than 5 nm. Therefore, our invariable coupling power technique is simpler than Intel＇s.     

TFT-LCD中耦合电容Cpd影响因素的研究

LCD显示效果依赖于液晶分子在电场作用下的旋转,液晶分子具有各向异性的介电常数,不同旋转角度的液晶分子,在相同电容器中,表现出不同的电容值。像素电极和数据线构成耦合电容器Cpd,过大的耦合电容Cpd值会导致数据线信号传输的延迟,影响像素电极周边液晶分子分布,使显示器的画面品质出现垂向块状云纹等不良。针对如何降低耦合电容Cpd值,本文对影响耦合电容Cpd的因素进行了一系列模拟,研究了耦合电容Cpd变化机理,得出了一系列降低耦合电容Cpd的结论。