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提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.  相似文献   
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根据天津市发展节水灌溉实际情况,阐述了发展节水灌溉的必要性和可行性,介绍了目前天津市采用的先进节水灌溉技术,分析了节水灌溉的效益,提出了发展节水灌溉过程中应该完善的一些配套措施。  相似文献   
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《电子测试》2003,(4):120-120
美国国家半导体(National Semiconductor Corporation,NS)宣布推出一系列专为低电压、高电流应用方案而设计的全新低噪音CMOS低压降(LDO)开关稳压器。  相似文献   
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熔断器、断路器是电子电气设备最常用的保护电器,熔断器可以实现过载、短路保护,断路器除具上述功能外,还能实行失压保护.根据线路特点和所保护的设备,采取相应的保护设施,确保用电安全.  相似文献   
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