多拓扑路由实现IP网络区分服务的优化算法*

在IP网络使用多拓扑技术对不同业务区分服务和路由优化的背景下,提出一种改进的链路权重优化启发式算法,在一定条件下以一定概率接受非可行解,从而引入松弛机制扩大候选解范围,避免搜索陷入局部最优。在仿真中将所提出的算法和已有算法进行了比较,结果证明该算法能够为每个高优先级需求的服务层协定（SLA）提供保证,有效降低全网总时延或提高网络吞吐量。     

基于集对分析同一度的投资优化模型

针对银行投资中的多种方案选取问题,根据集对分析理论在集对分析统一度的基础上,建立了银行投资方案优化模型,利用变异系数法,提高了方案评价的可信度.该方案为一种简洁、适用的评价方法.     

装配式预应力空心板桥面混凝土铺装层病害及防治

针对影响桥梁使用和维修保养的桥面铺装层问题,研究分析了装配式预应力混凝土空心板桥面混凝土铺装层的纵桥向裂缝、横桥向裂缝、龟裂、松散剥落及伸缩缝处破坏等常见病害的产生机理,提出了相应的设计与施工措施.概括总结了钢纤维混凝土、合成纤维混凝土、混杂纤维混凝土和钢纤维轻混凝土在桥面铺装层中的研究成果,列举了几个需要进一步深入研究的课题.     

ANSYS在整体式排水圆管分析中的应用

基于ANSYS APDL参数化设计语言编写程序,利用程序对整体式排水圆管进行数值计算.模型中考虑了不同荷载的施工方法,并利用路径映射技术实现了各截面的内力输出,从而合理地揭示了在土压力、外水压力和自重的共同作用下整体式排水圆管的位移、应力和内力分布规律.最后通过工程实例,验证了程序的可靠性.     

AOS系统中的帧同步技术性能分析与仿真

为提高高级在轨系统（AOS）中数据传输的可靠性,对AOS帧同步技术进行研究。在分析了帧同步状态转移过程中可能出现的漏检现象与虚警现象的基础上,采用经典Z变换方法,研究了选取不同长度的附加帧同步标记、前方保护时间和后方保护时间对帧同步入锁时间、误锁概率、误锁后最快解锁概率和帧同步保持时间等重要性能参数的影响,并给出了仿真结果。最后给出了不同误码率下AOS帧同步参数选取的建议值,为实际应用提供参考.     

基于OMRONPLC三层网络的蛋粉加工DCS系统

研究并验证了OMRON PLC的网络通信功能。对其PLC的典型应用三层网络架构,即Ether-net(信息层)、Controller Link(控制层)和DeviceNet(设备层)进行了深入研究,详细论述了OMRONPLC三层网络组成DCS的建立方法、数据传输的过程以及PLC网络编程技术的实现,并采用OMRONPLC的三层网络架构组成DCS控制系统,将这种DCS系统成功地运用到了蛋粉生产过程控制中。结果表明,通过DCS系统实现了对蛋粉生产过程的远程监控。     

非树调和图的必要条件与非调和图类

使用同余的方法,给出了一般调和图的必要条件;还给出正则图、Euler图、圈的粘接以及圈的并是调和图的必要条件。指出了Euler图中的非调和图类,m个n圈的粘接图中的非调和图类。构造了偶圈的具有同顶点的调和母图。     

Solid state interfacial reactions in electrodeposited Ni/Sn couples

Ni/Sn couples,prepared by sequentially electroplating Ni layers and Sn layers on metallized Si wafers,were employed to study the mierostructures and growth kinetics of Ni-Sn intermediate phases,when the Ni/Sn couples were aged at room temperature or annealed at temperatures from 150 to 225℃for various times.The results show that the NiSn phase and Ni_3Sn_4 phase are formed,respectively,in the aged couples and annealed couples.The Ni_3Sn_4 layer is continuously distributed between the Ni and Sn sides in t...     

Dependence of domain wall structures on repetition n in[Pt（0.5 nm）/Co（0.4 nm）]n/NiO（1.1 nm）/[Co（0.4 nm）/Pt（0.5 nm）]n multilayers

The magnetic force microscopy and a sample vibrating magnetometer have been used to investigate the domain structure in two antiferromagnetically coupled Co/Pt multilayers.In the antiferromagnetic coupled[Pt(0.5 nm)/Co(0.4 nm)]_n/NiO(1.1 nm)/[Co(0.4 nm)/Pt(0.5 nm)]_n multilayers with perpendicular anisotropy,the antiferromagnetic interlayer coupling strength increases linearly with the repetition number n in Co/Pt multilayers.In demagnetized states,relatively shifted domain walls in the two Co/Pt multila...     

GaN基LED与Si键合技术的研究

采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。