谈硅烷法制备太阳能级多晶硅的工艺

本文综述了硅烷热解法制备多晶硅的几种工艺,特别是对于硅烷的制备方法进行了详细的探讨。如Komatsu硅化镁法、碱金属氢化物中的硅烷法和氟化硅以及Union Carbide的歧化法。同时,还介绍了Ulmer法和Cadet电化学制备硅烷的方法,指出Na2 SiF6法是一种比较优秀的路线。     

功率VDMOS器件ESD防护结构设计研究

随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现。该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性。由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流。经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上。     

海关数据表明中国多晶硅仍需大量进口

据中国海关披露,2010年11月中国进口多晶硅数量为6153吨,前11个月累计进口量为41898吨。11月的进口量达到历史新纪录,同比增长159.8%,环比增长45%。从韩国进口的多晶硅为1645.6吨,是目前国内最大的进口渠道。其次为美国2570吨,德国883.2吨、日本478.5吨、台湾地区236.8吨、挪威157.8吨以及意大利135吨等。由于韩国OCI等企业大幅扩张多晶硅产能,并且运费较欧美大     

多晶硅真空电磁感应熔炼除磷及其过程研制

磷是多晶硅中的主要杂质元素之一,目前采用的酸洗以及定向凝固工艺无法将其含量降低到太阳能级多晶硅所要求的范围之内。采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉研究了真空度、精炼时间和精炼温度对除磷效果的影响。研究结果表明当炉内压强为5.0×10-1 Pa时,精炼温度和时间分别为1723K和60min时,精炼后硅中磷含量由原来的2.0×10-5（质量分数）降低到1.8×10-6（质量分数）;研究推导出了在压强为5×10-1Pa下磷的含量随精炼时间和精炼温度的关系式如下：XP=X0Pexp[（-1.43×10-4-3.1×10-7T）t]同时还对真空感应熔炼除磷过程进行了热力学与动力学分析。     

金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜.研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析.结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后...     

电子材料行业“十二五”规划发展建议

电子材料是用于半导体、集成电路、光电子器件和新型元器件制造的材料,是发展信息产业、新能源产业的基础和先导。"十一五"时期,在党中央坚定不移地走中国特色新型工业化道路,应对国际金融危机、加强自主创新、实施节能减排、调结构、扩内需、保增长等一系列方针政策指引下,电子材料行业的发展取得了长足的进步。一"、十一五"期间电子材料行业主要情况回顾     

我国多晶硅产业现状及发展趋势简述

硅(Si)是最重要的半导体材料,它在自然界中含量丰富,仅次于氧而排第二。单质硅有结晶型和无定形2种,结晶型硅是一种有灰色金属光泽的晶体,与金刚石有类似的晶格。晶体硅通常分为单晶硅和多晶硅。多晶硅是单质硅的一种形态,其晶粒在生成过程中晶面取向不同,这些晶粒结合起来,就形成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。多晶硅在拉直单晶时,纯度变化不大。     

多晶硅质量影响因素分析

多晶硅质量受多方面因素的影响,本文结合生产实际,分别从生产原料三氯氢硅、氢气、混合气配比、反应温度、设备洁净条件等方面进行了分析．通过提高原料纯度,控制反应配比5：1和温度1080—1100℃,逐步提高多晶质量。     

MOSFET栅氧泄漏隧穿电流的分析模型:量子力学研究(英文)

研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用清晰的表面势方程改进模型的准确性。在研究模型中考虑了Si衬底中反型层的量子化和多晶硅栅耗尽,还研究了多晶硅掺杂对栅氧化层隧穿电流的影响。仿真结果表明,栅氧化层隧穿电流随多晶硅栅掺杂浓度的增加而增加。该结论与已报道的结果相吻合,从而证明了该模型的正确性。     

AM-OLED的像素电路集锦（二）

用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压（Vth）和沟道迁移率（μ）在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品要求（文章分为两期刊登,本篇为第二部分）。