铜—金刚石电接触复合材料的导电性

本文通过对铜－金刚石系列电接触材料导电性的测量，分析了该体系材料中合金化元素和组元相－金刚石，铌和镉等含量对材料电阻率的影响，分析和测量结果表明，在所研究成分范围内，添加成分对铜基体的导体电性影响很小，材料电阻率均可以满足电器地材料性能的要求。     

聚噻吩透明导电复合膜的研究

采用减压蒸溜，℃低温气相淀积法在聚酯基材上合成了聚乙烯醇－聚噻吩，获得性能优良的透明导电聚合物复合膜。研究了ＦｅＣｌ３和ＰＶＡ浓度配比、反应压强、聚合温度和时间对和爱过率和导电率的影响。     

试谈降低保护线截面的方法

试谈降低保护线截面的几种方法，特别是利用建筑物钢结构或钢筋混凝土结构（装置外部导电部分）的导电性降低保护线截面的方法。初步分析认为，这些方法与现行的国际、国内标准并无实质性矛盾。可在实际工程中试用，这样做可以取得显著的经济效益，尤其用于低压接地系统的改造工程。     

钛的应用技术

钛及钛合金的最大特点是密度小、强度高、耐腐蚀性能好，还具有良好的中温强度和低温韧性，钛的导电性和导热性较差，钛还是无磁的。     

碳纳米管/环氧树脂复合材料的导电性能研究

采用搅拌和高速剪切分散工艺将碳纳米管(CNT)分散在环氧树脂(EP)中,制成CNT/EP复合导电材料,浇成圆形试样.用表面电阻计测量样品的表面电阻检测其导电性,结果显示随着碳纳米管添加量的增加,复合材料的表面电阻不断降低.碳纳米管添加量为5%时,表面电阻从1012Ω下降到106Ω.使用SEM观测了碳纳米管在环氧树脂中的分散情况.     

氧化铟-稀土氧化物共掺CeO2基导电电解质材料的制备与表征

设计了以氧化铟与稀土氧化物（La2O3或Nd2O3）为共同掺杂元素的新型掺杂技术，并利用以聚乙烯醇为聚合剂的化学合成方法制备了CeO2基氧离子导电电解质材料。X射线衍射分析表明，本实验采用的湿化学合成方法容易获得具有纳米结构的高纯氟化钙型结构的CeO2基导电材料．材料导电性的交流阻抗测试分析说明，适当比例的氧化铟与稀土氧化物共掺能有效提高CeO2的导电性；其导电性比相同合成方法制备的Sm2O3掺杂CeO2的导电性更好。利用有效离子半径和相关结合焓理论分析了不同掺杂氧化物对CeO2基材料离子导电性影响。     

SiCI4/H3PO4添加的PVDF复合电解质膜的研制

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基质,加入适量的H3PO4和SiCl4,利用流延法制备了H3PO4/SiCl4掺杂的PVDF质子导电膜,采用交流阻抗谱法研究了质量分数为0.15H3PO4和不同质量分数SiCl4的PVDF电解质膜的导电性能及相对湿度对电导率的影响.结果表明,质量分数为0.10SiCL4,0.15H3PO4的PVDF复合电解质膜,室温电导率为6.37×10-2 S/cm,相对湿度在20%～80%范围内,电解质的电导率变化不大.     

新型质子导电聚合物电解质的研制及性能研究

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基质,掺杂P2O5保水剂,研制了一种新型质子P2O5/PVDF聚合物复合薄膜电解质.应用交流阻抗技术研究了P2O5/PVDF聚合物复合薄膜电解质的导电性.讨论了该聚合物复合薄膜电解质电导率随相对湿度、测量温度变化规律.应用红外光谱法研究了掺杂P2O5后电解质的结构变化.应用热分析仪研究了P2O5/PVDF聚合物复合薄膜电解质的热稳定性.结果表明,电解质膜在低于100 ℃具有稳定性,是一种在室温电导率较高的质子导电的室温聚合物电解质.     

SWeNT最新多壁碳纳米管用于提高聚合物导电性

美国俄克拉何马州的SWeNT研发出SMWTM系列的两种等级的多壁碳纳米管，可用作添加剂提高聚合物的导电性并改善锂离子电池的阴极性能。SMW200和SMW210在众多的多壁碳纳米管产品中具有最好的分散性和最低的渗流效应。此外，使用SMW200还可以提高材料的力学性能。SMW200是提纯级，碳纳米管纯度为96％。SMW210为生产级，碳纳米管纯度为70％，含有用作催化剂的金属氧化物。由于SMW210没有催化剂的后期纯化过程．因此价格低很多。