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991.
ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽 相似文献
992.
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量. 相似文献
993.
994.
DFT技术已经成为集成电路设计的一个重要组成部分.详细介绍了基于扫描测试的DFT原理和实现步骤,并对一个32位FIFO存储器电路实例进行扫描设计.根据扫描链的特点和电路多时钟域问题,采用了三种设计方案,整个流程包括了行为级Verilog代码的修改、扫描设计综合以及自动测试模板产生(ATPG).对不同的设计方案给出了相应的故障覆盖率,并对生成的模板进行压缩优化,减少了测试仿真时间.最后分析了导致故障覆盖率不同的一些因素和设计中的综合考虑. 相似文献
995.
996.
997.
应用单光束Z扫描技术,在波长532nm、脉宽8ns的条件下,对一种新型的多金属氧酸盐基超分子化合物(HDPA.DMF)2(HDPA.2DMF)(PMo12O40)的三阶非线性光学性质进行了研究。结果发现,该新超分子化合物不存在非线性吸收,但是具有较强的非线性自散焦效应(n2=-4.032×10-19m2/W),其三阶非线性极化率χ(3)=-1.37×10-12esu。分析了该超分子化合物的特殊晶体结构和强π-π作用等因素对其三阶非线性光学性质的重要影响。 相似文献
998.
用5,5′-(六氟异丙基)-二-(2-氨基苯酚)(6FHP),4,4-′(六氟异丙基)-苯二酸酐(6FDA)和分散红19(DR19)合成了可制作光波导器件的含氟聚酰亚胺(PI-19)有机聚合物;采用示差扫描量热(DSC)、热失重分析(TGA)和近红外吸收光谱等方法对PI-19的热稳定性和光学性质进行了表征。示差扫描量热和热失重分析结果显示,PI-19的玻璃化转变温度(Tg)为256℃,在5%的热失重温度为380℃,表明具有非常好的热稳定性。近红外吸收光谱表明,材料在光通信波段(1.3μm和1.55μm)有2个较低吸收的“窗口”,可以用来制作低损耗的光通信器件、光开关等。制得的聚合物材料具有较大的热光系数,其值为-4.13×10-4~-3.72×10-4℃-1(650~1310 nm),对于研制具有低驱动功率的新型数字热光开关具有一定意义。 相似文献
999.
<正>对于3D打印技术,国外已经在日常生活、建筑、文化创意、医疗器械、模具个性化定制等领域有了较为成熟的应用,而我国则在航空航天方面探索得更为深入,现在已经可以制造飞机、飞船、卫星等航天仪器上比较难成形的零件。 相似文献
1000.
IEEE 1149.1标准与边界扫描技术 总被引:13,自引:2,他引:13
本文首先分析了集成电路可测性设计的必要性,接着介绍了边界扫描的基本结构、IEEE1149.1标准及指令寄存器、数据寄存器,分析了边界扫描的工作过程,介绍了基本的扫描寄存器结构,最后给出了系统集成可测性设计的策略。 相似文献