开通应急无线通信的规程探讨

0前言 应急无线通信在抢险救灾和突发事件处理过程中常常需要,例如在长江流域中下游汛期到来之际,主要的电信运营商都十分重视防汛通信保障工作,并积极准备开通应急无线通信.但是时至今日,应急通信的开通还没有一个统一的可操作的规程,使组织应急通信者无章可循.本文就笔者参与的某应急通信设施演练中所涉及的问题和采取的解决办法作一阐述.     

2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。     

烧结助剂对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响

研究了ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNbO4的相变温度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的介电常数、Q值影响较大;而添加1%质量分数的ZnO-B2O3,致密化温度降低到900,达到96%的理论密度,在920保温4h,材料的r为41,Q·f为13500GHz。     

WIMAX系统中的多天线技术及应用

WiMAX（全球互通微波接入）技术近年来发展迅速,逐渐成为宽带无线接入技术的热点之一。WiMAX系统能够实现高于2bps/Hz的频带利用率。为了增加覆盖范围和系统的可靠性,IEEE802.16标准支持Alamouti方案的空时码（STC）、自适应天线（AAS）和多输入多输出（MIMO）技术在内的多天线技术。多天线技术的应用能显著地提高系统容量和频谱利用率,从而大大增强WiMAX技术的竞争力。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

片式多层陶瓷微波谐振器

介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为1GHz,有载品质因数大于80的试验双端口多层微波谐振器。微波谐振器体积小,整个谐振器的尺寸为7mm×2mm×1mm,适用于表面贴装技术。     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

新型原油含水率及密度智能在线分析系统应用总结

新型原油含水率及密度智能在线分析系统基于微波共振原理,配置在线组分自动修正功能,适用于进口原油和国产原油,免维护,无周期性清洗需求。首套分析系统将含水分析仪安装在主管,后为了提升油水混合效果,改为旁路安装。在确保油水混合均匀的前提下,当含水率低于1%时,测量不确定度小于±0.05%;当含水率在1%～20%时,测量不确定度小于读数的±5%;当含水率在20%～50%时,测量不确定度小于±1%;当含水率在50%～100%时,测量不确定度小于±5%;密度测量不确定度为±0.2 kg/m³。应用表明,该系统在管输原油的计量交接或监督、电脱盐进料和常减压进料的实时监控等方面具有良好的应用前景。     

用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片

介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75 m m Ga As MMIC工艺研制,芯片面积约为4 mm2 .结果表明,2 .1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9d B     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关