矿井瓦斯涌出量预测研究中的数学模型

介绍数学模型法的基本原理和瓦斯涌出量的预测步骤,通过确定统计单元、选择合适的变量、建立预测方程等步骤对瓦斯涌出量进行预测,将此种方法应用于实际工程中,结果显示:数学模型法准确性高,预测精度能够满足通风系统设计要求。     

中子平衡节块离散纵标法及CMFD加速技术研究

本文基于横向积分离散纵标方程,解析得到横向积分通量中出射通量与入射通量的关系,并根据类似于扩散方程节块展开法的输运节块中子平衡方程形式,得到了一种高效的节块离散纵标法数值迭代策略。数值结果表明,本文提出的方法可行且数值结果正确。此外,粗网有限差分(CMFD)加速技术在节块离散纵标法中也取得了非常好的应用效果。     

基于YOLOv4与光流法的行人检测和计数方法研究

针对行人进行检测与统计的问题进行分析和研究,提出一种基于深度学习的方法。首先分析YOLOv4算法的优越性,并使用监控下获取的行人图像和YOLOv4算法,训练出深度学习模型。再在监控下进行实时行人检测和统计,针对部分实验结果精度较小的问题,采用光流法进行改进。改进后的检测速度以及检测精度基本满足行人检测和计数的需求。     

锦棉一浴法染色工艺研究

主要研究锦棉织物的一浴法的最佳染色工艺。通过锦棉织物前处理、染色、测试等一系列试验,着重研究活性染料一浴法上染锦棉织物的染色性能,分析比较元明粉用量、温度和染色时间对织物染色效果的影响,寻求上染锦棉织物的最佳染色工艺。采用不同条件下进行锦棉一浴染色来分析染色过程中各种因素对锦棉一浴染色的影响并得出锦棉一浴染色的最佳工艺。经过实验研究结果显示:在加入的元明粉为45g/L、染色温度98℃、染色时间40-60min的条件下,锦棉一浴染色的效果最好,即为锦棉一浴染色的最佳染色工艺,其各种牢度、染色均匀性上都取得较好的效果,降低能耗和成本,减少污染和资源浪费。     

凝胶-燃烧法由轻烧菱镁矿制备纳米氧化镁

采用凝胶-燃烧法,以菱镁矿、乙酸铵及尿素为原料,加入成胶剂柠檬酸并烘干,在一定温度下点燃并退火即得纳米氧化镁。考察了前驱体溶液p H值、水及分散剂用量、退火等工艺参数对反应过程及最终产物性质的影响。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及化学分析等对纳米氧化镁粉体进行表征后得到在优化条件下,纳米氧化镁的晶粒尺寸100 nm,纯度为98.2%。     

原子吸收光谱法测定保护渣中锰含量

采用原子吸收光谱法测定保护渣中锰含量,进行了酸度对测定的影响、试样分解、共存离子干扰、加标回收、精密度分析等试验。结果表明,锰可完全溶解于混合酸溶液中;加入氯化锶,可以消除钠、钙对锰测定的干扰;锰质量浓度在0~12.0μg/mL的范围,工作曲线线性关系良好;加标回收率较高,在97%~102%;测定结果准确度较高,与高碘酸钠光度法分析结果一致性较好。     

移动边缘计算环境下的动态资源分配策略

在通讯设备爆炸式增长的时代,移动边缘计算作为5G通讯技术的核心技术之一,对其进行合理的资源分配显得尤为重要。移动边缘计算的思想是把云计算中心下沉到基站部署(边缘云),使云计算中心更加靠近用户,以快速解决计算资源分配问题。但是,相对于大型的云计算中心,边缘云的计算资源有限,传统的虚拟机分配方式不足以灵活应对边缘云的计算资源分配问题。为解决此问题,提出一种根据用户综合需求变化的动态计算资源和频谱分配算法(DRFAA),采用"分治"策略,并将资源模拟成"流体"资源进行分配,以寻求较大的吞吐量和较低的传输时延。实验仿真结果显示,动态计算资源和频谱分配算法可以有效地降低用户与边缘云之间的传输时延,也可以提高边缘云的吞吐量。     

孔隙水压力对抗滑桩加固边坡稳定性影响分析

抗滑桩具有施工方便和加固效果能力优良等优点,在边坡治理中应用最多.当采用抗滑桩来加固边坡时,在工程实际中普遍根据极限平衡法对边坡的稳定性进行分析,该方法得到的结果仅是近似解,因此,本文采用极限分析上限方法同抗剪强度折减技术相结合,研究了在孔隙水压力下边坡采用抗滑桩加固时的极限平衡状态方程,并对抗滑桩桩侧有效土压力进行了求解,将孔隙水压力视为外力荷载做功,通过虚功方程来体现.并以工程实例为基础,对边坡进行变动参数计算与对比分析,验证了该方法的合理性.     

超声冲击对6082铝合金MIG焊接接头表层组织的影响

对6082铝合金MIG焊接接头进行超声冲击试验,借助光学显微镜、透射电子显微镜研究超声冲击对6082铝合金表层组织的影响。结果表明:当冲击电流和时间分别为1.0 A/2 min、1.0 A/5 min、1.5 A/2 min、1.5 A/5 min时,表面塑性变形层厚度分别为35、45、40、60μm,冲击参数为1.0 A/2 min时硬化层没有明显的冲击缺陷,其余3种参数冲击层均出现不同程度的缺陷;4种冲击参数下表层晶粒均有一定程度的细化,冲击参数为1.5 A/5 min时,最小晶粒尺寸可达200 nm左右。