基于130nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计

基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库.研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计.提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置.对双互锁存储单元(DICE)加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比.测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV ·cm2 ·mg_1的线性能量转移(LET)阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm2·mg_1和99.8 MeV·cm2·mg_1两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁.结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计(RHBD)可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力.     

标准单元ASIC／FPGA的权衡与结构化ASIC

看来您已认定,采取购买并组装现成的专用标准产品(ASSP),如嵌入式控制器、外设芯片等,然后再编写您自己的软件这种做法将不能使您设计的产品与您竞争对手的产品有足够大的差别.因此,您会决定选择芯片级设计.两大硅平台竞争对手及其各自的折衷方案已经在各种工业论坛上引起广泛的争论.不过如果您刚涉足这场争论,则很有必要了解下述有关争论的概要.     

读出电路数字模块设计

文章介绍了一个读出电路的数字控制模块.该模块集成了众多的控制功能,包括积分时间的调控,对面阵中指定窗口的读出,并能够支持快照读出模式和滚动读出模式之间的选择.文章中详细介绍了实现窗口功能和滚动功能的算法;电路的整体结构及端口时序,并给出了整个系统的仿真结果;最后采用上海集成电路设计中心提供的0.6μm双硅双铝标准单元库对本设计进行了电路综合,并对本设计的版图规划和实现进行了简略的说明,验证了将该设计向大规模读出电路上集成的可行性.     

深亚微米标准单元库的设计与开发

随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯国际0．18μm工艺，成功设计开发了0．18μm标准单元库。本文简要介绍了0．18μm标准单元库的设计与开发。     

抗辐照标准单元库验证方法研究

对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。     

ASIC与PLD各领风骚

掩膜ASICASIC出现于80年代后期至90年代初,顾名思义是为某类整机系统设计和制造的专用IC。ASIC大致可分为：lq阵列电路,标准单元电路,可编译单元电路,可编程逻辑电路（PLD）和全定制电路（FullCustom）,其中前四类电路又称为“半定制电路”（Se。icustomICS）。一般而言,“半定制电路”或采用带有基本单元的“母片”（又称“基板”）,或采用标准单元库中的标准单元。设计师所关心的只是利用这些标准单元,根据系统的要求来选择布线方案以构筑不同的系统。当然,标准单元的意义已由早期的门、触发器,扩展到当前的微处理器…     

超深亚微米可制造标准单元库设计

当集成电路的特征尺寸下降到100nm以下,可制造性设计就变得尤为重要。本文提出了一种65nm可制造性标准单元库的设计方法。通过精简基本单元的数量,降低光学矫正的时间和空间复杂度;利用DFM设计规则和光学模拟仿真对每个单元的版图进行优化以提高整个单元库的可制造性。应用该方法实现的标准单元库在时序,功耗,面积方面与传统标准单元库相比具有很好的性能,并且通过Foundry的TD部门65nm工艺线的可制造性测试,有利于65nm工艺生产良率的提升。     

0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库建库流程研究与实现

基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。     

光纤同步网讲座（四）：光纤同步网单元设备

本文首先扼要介绍了ＳＤＨ设备主要特点，接着讨论了ＳＤＨ设备标准参考模型单元功能块组成及外部光接口标准，最后简要说明了ＳＤＨ设备的物理实现方法。     

再见了，门阵列!

与关于PC工业衰退将导致半导体工业的主要部分受到损害的宣传不同。ASIC从其收入和盈利增长的角度来看，都比以往有更强劲的增长。