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一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似的生长装置,进行化合物半导体的外延淀积。 相似文献
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炸药爆轰时,在爆轰波阵面上产生强大的冲击压力。之后,气体产物开始膨胀,引起爆炸气体产物压力的降低,爆炸产物将逐渐转入静止状态,最后产物停止运动,产物压力趋于稳态值。 相似文献
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