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1 全频段信号电平偏低
引起电平偏低的原因较多,主要有温度变化、放大器工作异常、电缆老化等几种。
(1)温度变化导致电平下降
温度变化导致电平下降有两方面的原因,其一是温度降低使电缆芯线热胀冷缩而接触不良引起电平降低,出现这种情况时低频段的电平比高频段的电平下降快,此故障多发生于冬季,出现这种故障必须重做接头,并紧固接口器件;其二是温度升高使电平下降,根据电缆的温度特性,随着环境温度的升高损耗随之增大, 相似文献
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本文利用热力学第二定律(Yong) 的(exergy)分析法,对二氧化碳跨临界制冷循环系统进行了仿真和分析,分析显示:炯效率随着放热压力的变化而变化,其最大值出现在最优放热压力处,同时,本文还就气体冷却器口温度、蒸发温度及蒸汽过热度对系统Yong效率的影响进行了仿真和分析。 相似文献
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OCT图像散斑的形成机理和清除方法 总被引:4,自引:1,他引:3
根据光相干层析成像(OCT)的光学和光电检测系统特点,结合现有的理论模型,分析了OCT成像和散斑形成机理。指出失去相干性的多次散射光部分会被滤波电路排除,散斑是由高散射组织相干长度之内的不同散射截面上的若干具有nπ光程差的相干散射光彼此叠加形成的。最后讨论了消除散斑的方法。 相似文献
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研究一种温度测量方法及此方法产生的误差,重点研究误差修正的三次样条插值模型的建立。结果指出:为提高低精度测量仪的精度,可以采用高精度测量仪器作为标准,由节点处的误差值构造误差曲线并通过软件修正仪器的测量误差;如误差曲线变化复杂,采用三次样条插值能取得很好的修正效果。 相似文献
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分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献