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981.
982.
ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV (1.61±0.06)eV和E(Ge Zn)=EV (1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点. 相似文献
983.
984.
无氧阈理论与检测方法研究进展 总被引:6,自引:0,他引:6
无氧阈(AnaerobicThreshold,AT)概念是由Wasserman等于60年代提出的,它特指人体进行体力性负荷时,体内的能量代谢由以有氧代谢为主向以无氧代谢为主转变的临界点。由于该代谢性质的转变是以缺氧导致乳酸的生成为依据进行判别的,故A... 相似文献
985.
利用密度泛函理论体系下的第一性原理平面波超软赝势法,研究Al单掺杂和S单掺杂以及Al/S共掺杂金红石相TiO_2的能带结构、态密度和光学性质。结果表明:Al单掺杂导致禁带宽度减小为1.79eV,并且在价带上方形成了一条杂质能带;S单掺杂导致费米能级上移靠近导带,直接带隙减小为0.816eV;Al/S共掺杂导致能带结构中出现了3条杂质能带,直接带隙约0.841eV,杂质能级主要由Al原子的3p轨道和S原子的3p轨道组成。Al/S共掺杂后使TiO_2的吸收带产生红移,在可见光区具有较大的吸收系数,能够增强电子传输能力和抑制电子空穴对复合。 相似文献
986.
智能制造是实现制造强国的重要途径,随着我国智能制造进入全面推广阶段,针对智能制造发展水平开展科学评价成为现实需求。本文系统梳理了近年来有关智能制造评价理论的研究成果,从智能制造的关键技术、系统全局、行业领域3个视角归纳总结了智能制造评价体系的研究情况,对比分析了智能制造评价研究中常用的评价方法;剖析智能制造评价研究方面存在的主要问题,针对性探讨领域的未来研究方向。研究认为,现行智能制造评价的标准、流程、指标体系、应用等方面存在欠缺,需要从评价范式、评价体系、新技术融合等方面加以改进完善,以推进智能制造评价理论研究并指导智能制造发展。具体而言,健全标准设计,建立智能制造评价范式;优化指标体系,丰富关键核心评价内容;强化新技术融合,推进理论实践协同并进。 相似文献
987.
目的 通过分析纸塑复合袋成型工艺,针对纸塑复合袋生产中存在位置偏移和倾斜的缺陷,明确复合袋生产中需要纠偏的需求.方法 建立复合袋的有限元模型,以薄板屈曲理论为基础,运用Ansys Workbench中的屈曲分析工具对各种姿态下的纸塑复合袋进行仿真,求解皮带最大屈曲载荷,最后根据最大屈曲载荷等于复合袋所受的摩擦力这一条件,得到皮带所受的最大正压力.结果 当皮带间距为50 cm时,最大皮带正压力最大,即纸塑复合袋能够承受的摩擦力最大,纠偏时的轨迹与理论轨迹误差更小.结论 该计算结果准确,数据充足,满足纠偏中正压力的控制需求. 相似文献
988.
989.
990.