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本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件,制备了优质非晶氮化硅薄膜,其介电常数为7.5、击穿强度为5.5MV/cm、电导率为10-13(Ωcm)-1。 相似文献
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非化学计量LaNi5型储氢合金的性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用富La混合稀土与Ni、Co、Mg等元素组合,获得了一种非化学计量LaNi5型储氢合金、用金相、XRD和SEM-EDX等方法分析了该合金的组织结构,研究了合金的气相储氢特性以及电化学性能,结果表明:在1.6MPa氢压和温度29℃下,该合金的储氢量达到1.58%(质量分数),该合金的放电容量为380mAh/g。经300次循环后容量保持率为55%,该合金的基体是CaCu5型结构的LaNi5相,但有第二相(LaMg)Ni3析出,这种第二相的形成是导致该合金大容量的关键。 相似文献
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本质安全电路及其研究 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍电路本质安全性研究的基本原理、试验装置、电路的放电形式及放电时间和最小点燃电流曲线的测试以及不同频率特性下本安研究的技术实现、实际电路中提高本安电感电路功率的方法、本质安全性的实现以及计算机评估等.所得的结论对我国本质安全型电气设备的设计有一定的应用价值. 相似文献
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电过应力是造成MOS集成电路损伤的主要原因,本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力的损伤模式和机理。 相似文献
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根据网络理论,对国内外典型基色矩阵放大电路的群时延特性进行了理论分析,并得出表达式。进而给出采用微型机运算的结果,应用这些结果可对电路参数估算提供有效方法。 相似文献