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81.
《中国粉体工业》2007,(4):36-37
美国国家可再生能源实验室(NREL)在美国Innovalight公司的协助下,证实“通过硅纳米结晶(量子点,Quantuin Dot)可以高效生成多重激子(Multiple Exciton Generation,MEG)”。MEG可将元,2006年产值应在1.12亿美元,预计到2010年将达到5亿美元。同时,我国铁硅铝磁粉芯的产业规模还很小,2006年的产值大约不到500万元人民币!  相似文献   
82.
《稀有金属》2003,27(4):451-451
美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我…  相似文献   
83.
注氢硅中微结构缺陷的TEM观察   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带,损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致,推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主,另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷,这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞,这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。  相似文献   
84.
85.
回复应变退火对铁锰硅合金形状记忆效应的影响   总被引:5,自引:3,他引:2  
孙广平  李建忱 《功能材料》1997,28(4):372-375
结果表明,预应变后的合金经回复应变退火后,组织转变分为三个阶段,形状记忆效应主要产生于475℃以前第一阶段的应力诱发ε马氏体向奥氏体转变,475℃以后的各阶段组织转变对形状记忆的效应不产生贡献。适宜的回复应变退火温度为500℃。  相似文献   
86.
87.
本文介绍该隔墙板生产的原料配比,生产工艺及其技术关键、产品物理力学性能及经济效益分析,讨论改善制品返卤、变形,耐水性差等几方面问题的方法。  相似文献   
88.
用Si,0.70wt/5和N0.08wt%对新型9Cr6W3Mo2V2钢进行合金化,观测这两种合金元素在耐磨冷 作模具钢中的存在形式,及其对组织结构和力学性能的影响,并与通用的Cr12MoV钢进行了比 较.结果表明,Si,N显著改善钢的微观组织,提高强韧性和耐磨性能.  相似文献   
89.
王富 《铁合金》1994,(4):21-24,46
介绍了硅铬合金生产中造成炉底上涨的原因。通过生产实践,对用石灰和铬矿洗炉进行了分析,并介绍了洗炉后转炼硅铬合金的方法。  相似文献   
90.
利用挤压铸造制备氧化铝/锌合金复合材料,在扫描电镜(SEM)上观察复合材料的界面。结果表明,在复合材料中纤维与基体间存在致密界面层,合金元素通过适当的化学反应可改善纤维与基体间的结合;在凝固过程中,纤维/基体界面上的硅在共晶体的共生生长过程中起了领先相作用,导致复合材料的共晶转变是由铝硅共晶转变和锌铝共晶转变两者组成。  相似文献   
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