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91.
新型无灰分散剂的结构分析研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
通过薄膜渗析、红外光谱、凝胶渗透色谱、皂化反应等一系列手段建立了一套对无灰分散剂的系统分析方法,并利用该方法得到了一种新型无灰分散剂及其衍生物的平均结构、相对分子质量分布、分散度等重要结构信息,得出该新型无灰分散剂的结构与传统无灰分散剂的结构不同。  相似文献   
92.
我厂于1990年将制糖生产能力由1000吨/日扩建到1500吨/日,同时把原有THL80石灰窑有效容积扩建到130m3,生产中石灰窑仍不能满足需要,1995年检修期有效容积再次扩建到154m3,在1996年检修期石灰窑卸灰机解体发现卸发盘钢球轨道及支承钢球严重磨损变型,不能继续使用,我厂即对卸灰机卸灰盘进行改造,使用效果良好。1现状与概况我厂石灰窑两次扩建后仍使用原设计THL80石灰窑所配圆盘式卸灰机,原卸灰机1.外壳已风管密封盖3.上部回灰盘机体4支过钢球5.下部支承钢球轨道已风管田!据敏回厂原卸灰机结构团结构简图(见图1)。该机卸灰…  相似文献   
93.
94.
本文通过灰砂挤密桩及振冲桩在处理软弱地基中的联合应用,对其机理及联合应用的效果进行了分析,并提出了改进意见。  相似文献   
95.
Mg-Si基热电化合物的研究现状   总被引:1,自引:0,他引:1  
重点综述了Mg-Si基热电化合物的基本特性,该体系热电材料的制备方法与掺杂改性的研究进展,并提出了要重点解决的问题。  相似文献   
96.
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作   总被引:5,自引:1,他引:4  
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。  相似文献   
97.
陈军  尤政 《激光技术》1998,22(5):290-294
提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法.给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在.这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点.  相似文献   
98.
硅基红外信平面阵列技术的新进展(Ⅱ)   总被引:2,自引:0,他引:2  
主要介绍以硅为衬底的PbS,PbSe,PbTe,PbSnSe,HgCdTe,InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。  相似文献   
99.
橡胶轨枕垫板主要物理性能标准为:硬度(邵尔80±5),扯断强力(MPa)≥12.74,200%定伸强力(MPa)≥9.8,阿克隆磨耗(cm^3/1.6km)≤0.6),永久变形(%)≤25,500V电阻(Ω≥16^6,由于垫板要求的物理强度高,过去一直用炭黑与陶土作补强填料,但是炭黑价格贵,因此,希望找到一种货源充足,价格便宜,综合性能良好,能够代替炭黑的原料。  相似文献   
100.
王旗  陈振 《半导体光电》1996,17(4):305-312
国外硅单晶质量研究进展(续Ⅰ)王旗(高工),陈振,浦树德,杨晴初(西南技术物理所,成都610041)3硅金属及其它杂质3.1过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污染起决定作用。由于其高的固熔度,高的可动性和两性电活性而难于控制,所以,对于过渡元素的研究...  相似文献   
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