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文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。 相似文献
192.
193.
194.
以２２０１采面为实例，介绍了在直接顶破碎、厚度小，而老顶坚硬完整条件下的采面初放期间，通过“浅槽裂顶、煤垛缓顶”结合法新工艺，能将采空区悬顶安全放下。 相似文献
195.
华蓥山矿务局通过对机采工作的实地调查,总结出现阶段机采面采煤机开面率及物料消耗的情况,找出了机采面采煤机开机率低、物料消耗大的主要原因,指出了有效地提高开机率、降低物料消耗的途径。 相似文献
196.
197.
198.
直纹面型叶轮五坐标数控铣削原理的研究 总被引：5，自引：0，他引：5
本文详细分析了三元叶轮的几何造型，计算了进行叶轮数控加工的全部参数，给出了直纹面型叶轮加工的一般方法，为编制通用的三元叶轮ＣＡＤ／ＣＡＭ一体化软件打下了良好基础 相似文献
199.
本文从程序设计角度介绍一种用于半导体器件模拟的二维三角形面元的自动产生方法，该方法简单易行，适于在开发器件模拟软件时采用。 相似文献
200.