一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm.     

亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制

利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区的方法 .     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关     

高精度带隙基准电压源的实现

提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3e - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W.     

一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路

提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度     

基于UKF的单站无源定位算法

将一种适用于非线性系统的UKF应用于单站无源定位,并结合具体应用背景,对通常的UKF作了适当的改进。与推广卡尔曼滤波器(EKF)相比,UKF能更好解决量测模型非线性问题,滤波性能更好,而且UKF的计算量与EKF是同阶的。     

无源性理论在永磁同步电动机混沌控制中的应用

永磁同步电动机在一定的工作条件下呈现出混沌运动，根据无源性网络理论，设计电动机混沌动力学模型的控制器，将混沌系统等效为无源系统，消除系统中的混沌运动，降低系统自激振动的危害，实现混沌系统的快速稳定。     

有限推力登月飞行器燃料消耗研究

首先介绍了使用基于双二体问题的圆锥曲线拼合法和齐奥尔科夫斯基公式进行登月飞行器燃料消耗量的计算方法;接着导出了地月固联三体坐标系中最优轨道情况下登月飞行器燃料消耗量的计算方法;最后给出了在一定推力范围内不同比冲常规发动机分别使用上述第1种方法得到的燃料消耗和使用上述第2种方法得到的发动机工作时间和燃料消耗的仿真结果。结果表明两种方法得到的结论吻合得很好。     

固态毫米波导引头距离性能分析

首先概要地说明了空中目标在现代战争中的重要性,在此基础上探讨了运用毫米波固态源主动导引头反空目标的可行性。文中还论述了反空目标雷达导引头体制的选择,阐述了脉冲重复频率的选择并对作用距离参数的影响     

FAE战斗部爆炸威力评价方法的分析

在对 FAE的爆炸威力评价方法分析和应用的基本上 ,提出对 FAE战斗部爆炸威力评价的观点 :超压 -冲量毁伤准则是毁伤威力普遍适用的评价依据 ,但在国内外目前冲量测试误差较大的情况下 ,用一定条件下的超压 TNT当量评价 FAE战斗部威力 ,实际证明是可靠和实用的方法 .