平面应变条件下的M-C准则的等效广义 Mises变换公式及其应用

基于Mohr-Coulomb准则的等效广义Mises变换理论，推导了平面应变条件下的MohrCoulomb准则的等效广义Mises变换公式，该公式能够充分考虑膨胀角的影响，并与Mohr-Coulomb准则精确匹配，能很好的表述岩土体强度特性，可应用于工程实际中。文中对Prandtl经典算例用本文提出的方法进行了有限元分析，结果验证了文中公式的正确性并得出一些有益的结论。     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

超深大直径挖孔桩的施工

总结了在超深大直径挖孔桩施工中所遇到的一系列难题及解决措施，并对类似工程的施工与管理提出了一些注意事项及建议     

多信道光纤环形网络结构分析

本文对多信道光纤环形网络结构进行了详细分析，推导出环网内平均路经长度和最大直径计算公式，并分析了最佳多信道光纤环网结构。     

矩形介质波导阵列的一种新型分析方法

本文将等效介电常数近似分析方法在应用范围和处理方法上进行了一些改进．发展为双等效介电常数近似分析法，然后用它来分析矩形介质波导阵列．推得两个一维周期的耦合特征方程。如果将Macatili方法应用范围扩展用来研究该波导阵列也会得到同样的结果，它们都能在二维平面上较准确地反应出通带和阻带等主要周期特性。     

薄膜蒸镀光学控制中的一种现象的数学分析

证明了在连续蒸镀两层高，低折射率介质膜过程中，当第一层厚度不足λ／４厚时，刚开始蒸镀第二层膜时其反射率变化趋势与第一层膜相同，并由此展开，说明两层厚度不足λ／４的薄膜在很大程度上等价于一层λ／４的薄膜。