中国先进研究堆冷中子源核发热和冷中子增益研究

为准确计算和研究中国先进研究堆（CARR）冷中子源装置氢系统的核发热和冷中子增益，建立了一整套计算方法。对参考堆的验证计算证明了该方法的正确性和有效性。对影响CARR冷中子源核发热和冷中子增益的各种因素（如慢化剂、冷包材料、冷包形状等）进行了计算和优化选择。结果表明：在核发热量较小的条件下获得了较好的冷中子增益。     

用Delphi实现基于小波变换的JPEG2000压缩

对Delphi实现基于小波变换的JPEG2000压缩进行了研究.从Delphi的一般应用方法入手,给出了实现基于小波变换的JPEG2000压缩方法,对小波变换的理论进行了详细的阐述,对实现过程中的技巧给予了详细的论述.     

环形缺口拉伸圆杆的统一模型和断裂准则

对具有环形缺口的拉伸圆杆，以缺口尖端半径ρ，深度ｔ和张角α以及圆杆几何尺寸ａ和ｂ为描述参量，将理想尖裂纹、钝裂纹和切口作为缺口来统一描述，给出了以ｆａ（ａ／ｂ）为依据的安全设计和断裂设计准则，从而使理想裂纹应力强度因子模型和切口应力集中模型得以衔接。     

动载荷下应力强度因子的边界元计算

用Ｎａｒｄｉｎｉ－Ｂｒｅｂｂｉａ边界元法计算了动载荷下的应力强度因子，与解析解及有限元解相比较，效果较好。最后对计算结果进行了分析讨论。     

碲和镉材料的SIMS相对灵敏度因子及其规律性

利用已知浓度的均匀体掺杂半导体碲与金属镉材料作为ＳＩＭＳ分析的标准样品，测量得到了正电性杂质元素的相对灵敏度因子ＲＳＦ，发现了杂质元素相对灵敏度因子的对数与相应元素第一电离子ＩＰ之间成很好的线性关系。碲和镉样品的ｌｏｇ ＱＲＳＦｉ＾－ＷＩＰ关系的最小二乘拟合直线的斜率分别为０．９８ｄｅｃ．ｅＶ和０．６６ｄｅｃ．ｅＶ。     

三次样条函数插值法减背景及其程序

确定背景线是图谱分析重要的基础工作。采用三次样条函数插值法满意地拟合了复杂的X射线衍射图背景变化,背景线连续平滑。给出的程序能同时得到合理的净强度值与峰积分强度。     

CDIO12个标准本土化应用专题之一 本土化应用标准1-背景环境

本刊在2010年第11期全刊登载了CDIO工程教育模式在中国的实施情况,在国内教育界引起强烈反响。为了进一步推广CDIO的教育理念,促进高等教育与产业的合作,形成良好的人才供需局面,走出中国工程教育之路,从本期开始,本刊开设CDIO专栏,特聘天津职业大学科研产业处处长丁桂芝教授执笔,结合自身对CDIO培养模式与方法的深入学习,诠释CDIO的12个标准,并以天津职业大学嵌入式技术与应用专业为例,对CDIO标准本土化应用专题作较全面的介绍。     

突破必应首页的下载限制

虽然国内占有率最高的搜索引擎是百度,但小徐还是坚定的选择必应,原因无它,因为必应每天都会更换背景图像!不过,当小徐希望将其下载回来备用的时候,每次却只能通过全屏抓图的方式获取,真的是很麻烦。其实,微软已经为小徐这样的用户提供了直接下载背景图     

基于整体特征的快速英文字母识别方法

文章提出了一种基于整体特征的小写英文字母识别方法.首先根据字母图像的赋值背景提取其整体特征,然后构建7个模板进行模板匹配.该方法不需要对图像作复杂的细化处理、轮廓提取等,减少了可能带来的误识和拒识,也不需要现有神经网络方法的长期训练,因而简单快速.同时,不同字体的字母图像其整体特性基本相同,因此识别率较高.