表面贴装技术在智能型断路器中的应用

介绍了表面贴装技术（SMT）在智能型断路器生产制造中的应用,给出了印制电路板的布局与布线的参数、表面贴装元器件的选择、实施表面贴装的工艺方法与步骤等。利用现有的生产设备,将SMT组装工艺运用到智能型断路器的生产制造当中,提高了线路板的组装成品率,最终使断路器的运行可靠性和稳定性得到进一步提升。     

加速剂对铝基覆铜板通孔电镀铜的影响

在由70 g/L硫酸铜、200 g/L浓硫酸、60 mg/L盐酸、200 mg/L聚乙二醇(PEG6000)和1 mg/L健那绿B(JGB)组成的基础镀液中分别添加聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、3-巯基-1-丙磺酸钠(MPS)和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)作为加速剂。通过计时电位曲线测试和热冲击试验,研究了不同加速剂对通孔电镀铜的影响。结果表明,镀液中添加2.5 mg/L SPS或9 mg/L DPS作为加速剂时,镀液的深镀能力显著提高,所得Cu镀层的抗热冲击性能合格。     

面向6G应用的超低介电常数定向通孔Al2O3陶瓷

为了满足6G太赫兹频段低时延通信技术的要求,采用冷冻干燥法制备了具有超低介电常数的定向通孔结构多孔氧化铝陶瓷。研究不同部位样品的结构与性能关系,以及固相含量对微观形貌、力学性能、太赫兹光学和介电性能的影响。获得具有高气孔率(68.9%～81.0%)、高抗压强度(17.6～87.8 MPa)的多孔氧化铝陶瓷,在1 THz下具有超低的折射率(1.38～1.63)、吸收系数(～2.5 cm^-1)、介电常数(1.90～2.67)和介电损耗(～0.008)。定向通孔结构在与气孔平行的方向具有高抗压强度,其特殊的结构在太赫兹波导和天线基板等方面有重要的潜在应用价值。     

模穴控制器

模穴控制器具有1个主浇孔，数个通孔，选择孔以及上表面刻度．主浇孔与数个通孔和选择孔相通．且选择孔和数个通孔置于同一水平高度，通过旋转模穴控制器，使选择孔和任意模具的浇道相通，从而浇铸该浇道通往的模体，这样可以通过模穴控制器任意选择所需浇铸的模体，从而提高生产率和节省制模成本。     

三维通孔结构三色三贾卡提花间隔鞋材的研发

针对目前经编单/双贾卡提花间隔鞋材难以实现三维通孔结构与三色提花效应同材呈现的产品设计问题,通过分析传统双贾卡梳栉配置织造目标鞋材的工艺难点,提出将RDPJ7/2双针床经编机的前针床地梳升级为贾卡梳的三贾卡梳栉配置方案,研究了三维通孔结构与三色提花效应同材的三贾卡提花工艺,通过鞋材的贾卡组织设计、原料穿经设计及垫纱工艺设计,上机织造兼具三维通孔结构与三色提花效应的三贾卡提花间隔鞋材。研究结果表明：经编三色提花间隔鞋材的三维通孔结构可以通过三贾卡提花工艺实现,且三贾卡在提高经编鞋材结构立体化、花色多样化及花纹复杂化方面更具优势。     

热熔钻技术在汽车轻量化中的应用——德国Centerdrill热熔钻用于汽车行业

<正>德国Centerdrill公司热熔钻技术用于汽车行业,真正来自德国制造,品质卓越。上海简灵作为其授权商一直致力于推动此项新技术在汽车行业的应用。热熔钻技术是基于轴向压力和相对高速的组合,其结果是由摩擦形成高温。摩擦热和高接触压力使材料塑化,Centerdrill热熔钻头得以在数秒内穿透材料。其     

2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用

全球网络流量急速增长，数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加，传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电路和电子集成电路大规模集成在硅衬底上等优势，能满足下一代数据传输系统的迫切需求。2.5D/3D硅基光电子集成技术可以有效缩短光芯片和电芯片之间电学互连长度、减小芯片尺寸，从而减小寄生效应、提高集成密度和降低功耗。文章介绍了硅基光电子集成技术的不同方案和最新进展，并展望了硅基光电子芯片结合2.5D/3D集成技术在数据通信、激光雷达、生化传感以及光计算等领域的应用前景。     

一种采用微小通孔的双层布线技术

文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50 V     

2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究

硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要.以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析.研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10 μm×8...     

通过面积扩张和散热硅通孔的3DIC热量的优化

随着集成度的增加,高密度的3D IC的发热问题变得越来越严重,温度过高的热斑不仅影响芯片的性能,甚至对芯片的可靠性带来严重的威胁。从两个方面来优化三维芯片的热量问题,通过模拟退火算法把电路模块划分到合适的层,使得热斑块在整体芯片的分布较为均;在x/y方向上对热斑块适当的面积扩张来降低热斑块的功耗密度,然后在z方向上插入散热硅通孔来转移芯片内部的热量。仿真结果表明,通过该优化后的芯片最高温度可以进一步减小,在电路ncpu第二层中优化前后最高温度降低了11.98°;热量分布更加均衡,层内最高温度与最低温度之间的差距进一步缩小最大可以缩减11.82,有效地控制了芯片的温度。