碲镉汞外延晶膜的不稳定性

利用变温和变磁场霍尔测试对在空气室温环境长期存放的碲镉汞液相处延晶膜作了定期的检测，结果表明，晶膜的电学性质随时间有明显的改变，本文采用非均匀晶膜的层状模型对晶膜的不稳定性作了详细的分析。     

影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素

通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。     

Cd（Ⅱ）—N—邻甲苯基—N‘—（氨基对苯磺酸钠）硫脲—吡啶体系中镉的极谱测定

在含有０．５％吡啶的ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ中溶液（ＰＨ９．８）中，镉与新合成的试剂Ｎ（邻甲苯基）－Ｎ‘－（氨基对苯磺酸钠）硫脲于－０．７２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）产生灵敏的还的峰，峰电流与Ｃｄ（Ⅱ）浓度在１０－８００ｎｇ／ｍｌ范围有良好的线性关系，检测限为５ｎｇ／ｍｌ，直接测定高纯锌及锌盐中痕量镉，得到了满意结果，本文对新试剂和吡啶增加测定镉的灵敏度的原因及电极反应机理进行了研究。     

铜镉渣浆旋流分级返液试验研究

文章分析了影响旋流器工作的因素，根据铜镉渣浆的特性及试验要求确定了族流器的主要技术参数。分级后，溢流加入絮凝剂澄清３０ｍｉｎ，所产上清率可达４６．５４％，上清质量达标。上清返回锌浸出，减轻了镉工序的体积压力，可提高镉锦品位，确保生产的正常进行。本文还提出了试验中所存在的问题及解决的办法。     

掺镉纳米SnO2的热稳定性,电导及气敏性能

本文研究了ＣｄＯ掺杂对纳米ＳｎＯ２粉料的热稳定性，电导及气敏特性的影响。结果表明，以非晶状态均匀分散在ＳｎＯ２颗粒表面的ＣｄＯ能阻止ＳｎＯ２之间的相互扩散，提高了纳米ＳｎＯ２的热稳定性；固溶于ＳｎＯ２昌粒中的ＣｄＯ量（Ｃｄ／Ｓｎ〈０．０５）很小，但对元件的电导影响显著；纳米级的晶粒尺寸（〈６ｎｍ）及ＣｄＯ的掺杂大大改善了ＳｎＯ２的气敏特性。     

碲和镉材料的SIMS相对灵敏度因子及其规律性

利用已知浓度的均匀体掺杂半导体碲与金属镉材料作为ＳＩＭＳ分析的标准样品，测量得到了正电性杂质元素的相对灵敏度因子ＲＳＦ，发现了杂质元素相对灵敏度因子的对数与相应元素第一电离子ＩＰ之间成很好的线性关系。碲和镉样品的ｌｏｇ ＱＲＳＦｉ＾－ＷＩＰ关系的最小二乘拟合直线的斜率分别为０．９８ｄｅｃ．ｅＶ和０．６６ｄｅｃ．ｅＶ。