退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500~750℃之间对薄膜快速退火。XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大。理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向。退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大。     

电路保护与电磁兼容设计FAQ

电路保护是电路设计的基础,是最容易出现问题的部分,也是容易被忽略的问题。认识到ESD、过压、浪涌、过热等现象的巨大危害性,保护器件厂商也在不断推出各种新产品以满足设计需求。除了关注伏安特性、保护级别等因素,最新的电路保护器件还需要考虑更多其他问题。电子元件技术网主办的电路保护与电磁兼容技术研讨会至今已成功举办七届。现精选历届电路保护与电磁     

表面包裹碳膜的纳米氧化锆粉体的烧结

本文采用表面包裹碳膜后的粉体及无压烧结的方法来制备纳米氧化锆陶瓷块体材料，并分析烧结体的性能及影响烧结体性能的各种因素，探讨获得高致密度、晶粒细小的纳米陶瓷的方法。     

sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。     

混合集成电路用的封装材料

首先介绍混合集成电路封装技术的发展，然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据，最后介绍新的混合集成电路封装材料。     

扩展与融合——浅谈陶瓷材料介入综合艺术

随着当代艺术的多元化发展,综合材料在艺术中的使用更加广泛和深化。当代艺术品往往突破一种材料的限制,将各种媒材交互作用,从而创造出一种新的艺术形态。现当代陶艺的发展也顺应了这样的趋势,试图突破单一的材料语言,通过扩展与融合的手段介入综合艺术,在综合的语言环境中寻求更广阔的发展空间。     

陶瓷现代生活的演绎

正现代生活中,陶瓷可说是人们的必需品,也是美化生活环境的工艺美术品。随着社会的发展,陶瓷已不再像过去仅仅局限于日常生活中的使用器具,而是更趋向于以装饰功能为主的艺术陈列品。陶瓷的这种由功能性向装饰性的变化正经历并体现着陶瓷从器皿到饰品的飞跃,从物质到精神的升华。这不仅是陶瓷的兴起,更代表了我们伟大民族文化的兴起。     

氮化硅陶瓷微波烧结几何参数对电磁场分布影响规律的研究

在微波烧结过程中,烧结试样内部电场分布情况对试样烧结过程起决定性的作用。采用HFSS仿真软件,对一种加载氮化硅试样的5馈口微波烧结腔进行模拟仿真。同时,研究了试样的半径、高度及放置位置对微波电场的影响规律。模拟结果表明：当试样半径在42—44 mm左右时,内部电磁场分布均匀;随着试样高度的增加,电场的均匀性先下降后上升到最大值后又下降,试样高度在92—94 mm处附近时内部电磁场分布较为均匀、场强梯度小;随着放置高度的增加,试样内均匀性上升,但超过一定高度后电磁场均匀性下降;经比较研究,得出电磁场分布均匀、符合烧结要求的最佳烧结试样尺寸为高度93 mm、半径44mm、放置高度215 mm。     

专利信息

远红外线陶瓷蜂窝式耐高温节能炉板本专利公开了一种具有节省燃气优点的远红外线陶瓷蜂窝式耐高温节能炉板。它有一个远红外线陶瓷平面炉板,炉板的板面布有通透的蜂窝式细孔,平面炉板的上表面均匀排列有各种凸起或凹入的花纹或图案,细孔即设置于花纹或图案之中以及花纹或图案的     

现代陶艺教学的几点思考

前言 二十世纪中期以后,社会的变迁,使陶艺在欧美脱离了传统陶艺的功能性,而走向纯艺术之路,陶瓷材料成了艺术领域表达的新媒质,以一种新的姿态展现于历史舞台.